Применение защитных покрытий

В число методов, которые, как надеются, позволят преодолеть это затруднение, входят применение защитных покрытий, препятствующих испарению летучего элемента, высокотемпературный отжиг с помощью оптических импульсов и отжиг в атмосфере с избыточным давлением паров летучего элемента.

Ионные пучки позволяют не только обрабатывать полупроводники с целью получения электрической проводимости требуемого типа, но и создавать новые полупроводниковые среды. Например, микроминиатюризация на уровне СБИС требует, чтобы локальные электрические процессы сосредоточивались в чрезвычайно тонких слоях полупроводника и электрическое взаимодействие соседних элементов схемы было как можно меньшим. Один из путей к этому лежит через создание схем, именуемых «кремний-на-диэлектрике» (КНД), в которых слой кремния толщиной около 0,5 мкм, лежит на изолирующей подложке. КНД-схемы потребляют меньшую мощность, имеют большее быстродействие и менее чувствительны к радиации (важное свойство для космических и военных целей). Они также более устойчивы к «защелкиванию» — разрушительному процессу, приводящему к электрическому закорачиванию соседних транзисторов в схеме.

Получить достаточно тонкий слой монокристаллического кремния на диэлектрике довольно трудно, и это замедлило внедрение КНД-технологии. Ионная имплантация позволила решить эту проблему. Изолирующий слой двуокиси кремния можно создать путем имплантации ионов кислорода в кристалл кремния при соответствующих условиях. Тщательная стабилизация энергии имплантирующего пучка и температуры позволяет сформировать изолирующую зону не на поверхности кремниевого кристалла, а на 0,5 мкм ниже нее. После этого элементы микросхемы формируются в поверхностной пленке неизмененного кремния, которая электрически изолирована от остальной части кристалла.

По отношению к полупроводникам ионная имплантация применяется почти исключительно для изменения их электрических свойств. Что касается металлов, то в этом случае на первый план выдвигаются задачи изменения их механических и химических свойств. Такой способ получения желаемых свойств материала тем более ценен, что он не требует изменения размеров или объемных свойств деталей; к тому же адгезия имплантированных поверхностей не ухудшается в отличие от тех случаев, когда применяют различного рода покрытия.

 

0 Коментариев

Вы можете быть первым =)

Оставить коментарий