Максимально достижимые величины

Значение ЭДС Дембера обычно порядка нескольких милливольт. Эффект возникает при нарушении однородности полупроводника (вблизи поверхности контакта металл – полупроводник, вдоль полупроводника между освещенной и затемненной частями). Для наблюдения эффекта Дембера в чистом виде необходимо исключить влияние поверхностных состояний и других барьеров в исследуемых структурах.
На текстурах, полученных при испарении на наклоненную к направлению движения паров подложку, наблюдается так называемый аномальный фотовольтаический эффект (АФН-эффект), значение ЭДС которого может во много раз превышать ширину запрещенной зоны.
Заканчивая рассмотрение фотовольтаических эффектов, напомним, что существуют еще эффекты фотодиэлектрический, фотоэлектромагнитный, продольный фотоэффект на р-я-переходе, генерация фото-ЭДС в структурах с плавно меняющейся шириной запрещенной зоны, образование оптически индуцированных барьерных ЭДС, ЭДС в приповерхностных областях и другие, которые мы не рассматриваем, так как они практически не исследовались в полимерных фотопроводниках.