Нелинейность вольтамперных характеристик

При возбуждении структуры с барьером Шоттки светом с энергией больше Фб электроны в металле приобретают энергию достаточную для преодоления барьера. Для электронного полупроводника при ФМ>ФП часть горячих электронов может быть эмитирована в полупроводник, который зарядится отрицательно. Таким образом, на барьере возникнет фото ЭДС. Фото эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника в металл также возможна. Процесс этот будет происходить с туннелированием, что делает его вероятность много меньше рассмотренного выше.
Фотовольтаический эффект на барьере Шоттки (фото- ЭДС между электродом и объемом фотопроводника) создается и при освещении барьера светом с энергией большей ширины запрещенной зоны. Эффект обусловлен разделением электронно-дырочных пар полем барьера. В спектральных зависимостях фотовольтаического эффекта должны наблюдаться две области. Первая, наиболее интенсивная соответствует генерации пар при межзонных переходах. Вторая, имеющая вид хвоста, простирающегося в сторону меньших энергий, связана с миграцией горячих электронов. Порог при низких энергиях соответствует высоте барьера.
Фото- ЭДС на переходе. При освещении перехода светом с энергией больше ширины запрещенной зоны, генерированные электронно-дырочные пары разделяются внутренним полем перехода, что приводит к возникновению разности потенциалов V. При соединении с внешней цепью можно измерить фото – ЭДС или фототок. Вольтамперная характеристика перехода описывается уравнением диода.