Если ГЦК-структура не образуется, то для формирования других кристаллических структур требуется некоторая диффузионная перестройка в расположении атомов. Невозможности диффузионного перераспределения на границе отвердевания и обусловливает формирование аморфных структур ниже Т-кривой. Следует, однако, иметь в виду и то, что в настоящее время методика нахождения Т0-кривых не исключает возможность ошибки.
Представленные результаты по формированию аморфных сплавов при пикосекундном плавлении, аналогичных по составу и структуре сплавам, созданным методом ионного перемешивания, позволяют рассматривать метод пикосекундной лазерной имплантации как альтернативный методу ионной имплантации. В случае наносекундного лазерного сплавления также удается получать аморфные сплавы, аналогичные ионно-имплантированным. Поскольку при наносекундном облучении, скорости охлаждения расплава значительно меньше, чем феноменологические скорости охлаждения- теплового пика при ионной имплантации, то результат по структурообразованию при наносекундной лазерной и ионной имплантации будет сильно зависеть от характерных термодинамических свойств системы сплавляемых элементов, определяющих склонность к аморфизации.
Так, кристаллические пленки из Аи и В1, атомное содержание висмута в которых составляет от 20 до 90%, могут быть трансформированы в аморфные как путем ионной бомбардировки аргоном, так и путем наносекундного лазерного облучения.


0 Коментариев
Вы можете быть первым =)