Последние записи

  • Различный характер структурообразования

    Различный характер структурообразования при наносекундном лазерном сплавлении элементов Ag и Б1 и Аи и Б1 обусловлен тем, что теплота смешивания жидких сплавов положительна в системе Ag – 81, когда атомная концентрация Б1 превышает 16%, и всегда отрицательна в системе Аи – Бй Поэтому температура эвтектики в системе Ag – Б1 значительно выше, чем в Аи – Б1, что оказывает определяющее влияние на кинетику стеклования. Образование аморфных структур в двойных сплавах, состав которых выходит за пределы возможного концентрационного интервала стеклования, заключенного [...]

    Смотреть »

  • Образование аморфных структур в двойных сплавах

    В системе Аи – Б1 в тех случаях, когда можно было ожидать образование пересыщенных твердых растворов, обнаружено формирование аморфных фаз. Согласно метастабильным. фазовым диаграммам, после импульсного лазерного плавления как сплавов Ag, так и сплавов Аи с Б1 в процессе отвердевания могут зарождаться различные кристаллические структуры и аморфная фаза. На рис. 4.26 представлены рассчитанные зависимости критических скоростей охлаждения расплава, при которых подавляется зарождение кристаллических фаз с решеткой ГЦК алмаза и ГПУ. Расчет показал, что для подавления зарождения кристаллических фаз. в сплаве [...]

    Смотреть »

  • Влияние термодинамических свойств элементов на аморфизацию

    Влияние термодинамических свойств элементов на аморфизацию. Системы элементов Аи – Бі и Ag – Бі имеют во многом похожие равновесные фазовые диаграммы, указывающие на склонность к аморфизации. Эти элементы не смешиваются в твердой фазе и образуют одну эвтектику: стабильные промежуточные фазы на диаграмме отсутствуют. Тем не менее в случае наносекундного лазерного сплавления многослойных пленок из Аи и Бі на подложке из сапфира аморфные фазы образуются практически во всем концентрационном интервале. При лазерном сплавлении в аналогичных условиях пленок из А£ и [...]

    Смотреть »

  •  
  • Влияние скорости охлаждения расплава на аморфизацию

    При использовании карты с термохимическими координатами для определения возможности создания аморфного поверхностного сплава методом лазерной имплантации следует иметь в виду, что она не учитывает скорости охлаждения расплавленного поверхностного слоя и его состава, при которых формируется аморфная структура. Скорость же охлаждения расплава и его состав могут оказывать различное влияние на результат структурообразования в разных системах элементов. Рассмотрим несколько характерных примеров. Влияние скорости охлаждения расплава на аморфизацию. При наносекундном (ги = 50 не) лазерном облучении многослойной пленки толщиной до 150 нм, состоящей [...]

    Смотреть »

  • Модели Мидемы

    Однако имеющиеся результаты показывают, что при нано- и пикосекундном лазерном плавлении, как и при ионном перемешивании, три известных эмпирических условия создания стеклообразных структур не всегда удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами. Видно, что ни одно из правил не согласуется полностью с экспериментальными данными. Для определения систем элементов, в которых можно создавать стеклообразные сплавы импульсным плавлением, по аналогии с анализом ионно-имплантированных сплавов в предложено размещать символы двойных лазерно-легируемых сплавов в двух координатной плоскости. В качестве координат выбраны термохимические параметры: отношение атомных радиусов [...]

    Смотреть »

  • Критерий лазерно-индуцированной аморфизации

    Наряду с аморфной фазой при лазерной имплантации Си в ггв отдельных участках сплава образуются микровключения метастабильной фазы и – Ъх, а- Ъх и СиЪх2-Такое многообразие структур и фаз, образующихся при лазерной имплантации Си в Ъх, в объясняется влиянием ряда факторов. Лазерное облучение систем пленка – матрица путем частичного перекрытия зон воздействия приводит к тому, что в различных участках поверхности структура сплава формируется в разных условиях. Так, некоторые участки подвергаются только одноразовому плавлению, другие после первого плавления подвергаются затем тепловому воздействию, [...]

    Смотреть »

  •  
  • Охлаждение жидких сплавов

    Лазерную имплантацию Си в поликристаллические образцы Ъх проводили по методике, аналогичной методике лазерной имплантации Та в №. Варьированием толщиной пленки Си и интенсивностью лазерного облучения получены сплавы 2г(Си), максимальная атомная концентрация Си в которых по результатам измерений методом ОР составляла от 24 до 69%. Исследования лазерно-имплантированных образцов методом РМА показали достаточно однородное распределение меди по поверхности сплавов. Однако исследования тонкого лазерно-имплантированного образца Ъх, содержащего в поверхностном слое до 32% атомов Си, методом ПЭМ показали, что поверхностный слой состоит из аморфных [...]

    Смотреть »

  • Формирование неоднородной по глубине структуры

    Формирование неоднородной по глубине структуры поверхностного сплава №(Та) может быть, обусловлено как неоднородным по глубине распределением атомов Та, так и различной скоростью движения границы отвердевания в глубоких и приповерхностных слоях расплава. Интересно отметить, что картина дифракции электронов, полученная от аморфного лазерно-имплантированного сплава № (Та), отличается от картины дифракции электронов, полученной от аморфных сплавов №(Та), которые создавались традиционным методом быстрого охлаждения жидкого сплава. Применение этого метода для жидкого сплава №(Та) позволяет получить аморфную структуру, если атомная концентрация Та в сплаве не [...]

    Смотреть »

  • Кристалличность структуры

    Однако при больших концентрациях Ъх этот процесс нарушается. Для формирования аморфной структуры при лазерной имплантации Ъх в № требуется примерно столько же циркония, сколько его требуется для получения аморфного сплава №(гг) традиционными методами быстрого охлаждения жидких сплавов. В проведена лазерная имплантация Та в № путем наносекундного (£и = 130 не) облучения на воздухе системы Та (80 нм)-№. Сплав № (Та), содержащий до 50% атомов Та, создан на достаточно большой площади поверхности матрицы № путем многократного облучения с частичным перекрытием зон [...]

    Смотреть »

  •  
  • Структурообразование сплавов, склонных к аморфизации

    Это указывает на большие потенциальные возможности в создании новых аморфных сплавов методом лазерной имплантации. Однако при лазерной имплантации расплав охлаждается в условиях идеального контакта с кристаллической матрицей, которая может играть роль зародыша в развитии процессов кристаллизации. Интересно рассмотреть влияние этого фактора на структурообразование лазерно-имплантированных сплавов элементов, склонных к образованию аморфных структур при традиционной методике быстрого охлаждения жидких сплавов. Характерными примерами систем элементов, склонных к образованию аморфных сплавов, являются системы № – Ъх, № – Та, Ъх – Си. На их [...]

    Смотреть »

  • Создание аморфных поверхностных сплавов

    Структура окружения различных атомов Бп в агломератах может различаться, что обусловливает относительное уширение резонансных линий в дублете 2. Природа линии 3 на ЭМ – спектрах не совсем ясна, например, она может соответствовать атомам Бп, внедренным в тонкий поверхностный слой загрязнения на Сг. Отметим, что процессы фазовой сегрегации атомов олова при формировании ионно-имплантированного сплава Сг (Бп) не исключают получения здесь аморфной структуры. Вероятно, это вызвано тем, что времена, в течение которых развиваются эти процессы, при ионной имплантации существенно меньше (порядка Ю-11 [...]

    Смотреть »

  • Развитие процессов направленного сближения атомов

    Поэтому форма этой линии сильно зависит от температуры измерения и от степени совершенства кристаллической решетки хрома. Как видно из формы ЭМ – спектра 119Бп, измеренного для относительно разбавленного ионно-имплантированного сплава Сг (Бп), он состоит в основном из линии 1. Однако при повышении дозы имплантируемых ионов Бп в мёссбауэровских спектрах сплавов Сг (Бп) относительная интенсивность линии. 1 уменьшается, а возрастает интенсивность дублета 2. Параметры этого дублета во многом совпадают с параметрами дублета в ЭМ – спектре 119Бп, измеренном для лазерно-имплантированного сплава [...]

    Смотреть »

  •  
  • Результаты сравнительных мёссбауэровских исследований

    Например, показано, что при ионной имплантации с невысокими концентрациями легирующих атомов образуются пересыщенные твердые растворы. При больших концентрациях могут формироваться аморфные сплавы. При наносекундной лазерной имплантации образуются многофазные кристаллические сплавы. Однако результаты сравнительных мёссбауэровских исследований высоколегированных ионно – и лазерно-имплантированных сплавов несмешиваемых элементов указывают на существование некоторой общности в атомной структуре окружения ионно – и лазерно-имплантированных атомов в матрицах этих сплавов. Показаны ЭМ – спектры сплавов, полученных методом имплантации ионов u9Sn с энергией 50 кэВ в электро химически полированные поликристаллические [...]

    Смотреть »

  • Структура субмикровключений

    В проведено наносекундное электронное облучение – ионно-имплантированного сплава из несмешиваемых элементов Си (Та). Если исходный ионно-имплантированный сплав Си(Та) обладал аморфной структурой, то после импульсного плавления ионно-имплантированного слоя было обнаружено эпитаксиальное восстановление кристаллической структуры Си, а атомы Та, согласно измерениям методом ОР, занимали неупорядоченное положение в решетке Си. Это указывает на возможную преципитацию атомов Та в Си. В случае импульсного плавления, ионно-имплантированных сплавов из несмешиваемых элементов можно считать, что новая структура формируется в результате быстрого охлаждения относительно гомогенной по составу (в [...]

    Смотреть »

  • Метод наносекундной лазерной имплантации

    Таким образом, метод наносекундной лазерной имплантации позволяет провести поверхностное легирование в системе несмешиваемых элементов Сг – Бп. Однако за время импульсного плавления поверхностного слоя матрицы наряду с внедрением атомов легирующего элемента развиваются процессы преципитации, которые исключают возможность получения гомогенных (в микрообъеме) сплавов типа кристаллических твердых растворов или аморфных структур. Во многом аналогичная картина структурообразования наблюдается и после наносекундного плавления поверхностных ионно-имплантированных сплавов несмешиваемых элементов. Так, в изучено изменение структуры ионно-имплантированного сплава №(А£) после лазерного облучения импульсом длительностью 130 не. В [...]

    Смотреть »

  •  
  • Результаты микро дифракционных исследований

    Для объяснения полученных результатов по структурообразованию лазерно-имплантированного сплава несмешиваемых элементов Сг (Бп) следует предположить, что при интенсивном лазерном нагреве системы Бп – Сг вплоть до температур кипения Бп происходит плавление Бп и поверхностного слоя Сг, сопровождающееся диффузией атомов Бп в жидкий Сг. При этом первоначально возможно формирование гомогенного распределения атомов олова в жидком хроме. При охлаждении такого жидкого сплава Сг (Бп) в нем начинают развиваться по механизму диффузии процессы фазовой сегрегации атомов Бп. Согласно фазовой диаграмме, во включениях жидкого олова [...]

    Смотреть »

  • Исследования методом ПЭМ в темном поле

    Электронно-микроскопические исследования показали, что поверхностный сплав Сг (Бп), созданный методом лазерной имплантации Бп в полукристаллические образцы Сг, обладает поликристаллической двухфазной структурой. В поликристаллической матрице Сг формируются неравновесные по структуре микровключения Бп. Действительно, на картине микро дифракции электронов от сплава Сг (8п) наряду с рефлексами от ОЦК – решетки хрома видны слабые отражения, соответствующие межплоскостным расстояниям, примерно равным 0,288; 0,277 и 0,199 нм. Данные значения несколько отличаются от межплоскостных расстояний в равновесном В – Бп. Для равновесной структуры В- Бп значения [...]

    Смотреть »

  • Системы несмешиваемых в жидкой фазе элементов

    Преципитация в расплаве. Не смешиваемость элементов в жидкой фазе в равновесных условиях не исключает возможность создания поверхностных сплавов этих элементов методом наносекундной лазерной имплантации. Характер фиксируемого распределения легирующих атомов по глубине сплава указывает на протекание процессов диффузии атомов в жидкой фазе. Эти процессы, вероятно, развиваются при разогреве жидкостей до температур, близких или превышающих их температуры кипения в нормальных условиях. Такие результаты по лазерной имплантации в системах несмешиваемых элементов позволяют предположить, что при столь высоких температурах на фазовой диаграмме сплавов этих [...]

    Смотреть »

  •  
  • Значение параметра ГЦК – решетки

    Образование ГЦК – фазы обнаружено и после импульсного плавления поверхностных слоев образцов Сг объемно-легированных Zn и Ge. Так как в данных экспериментах ни один из компонентов сплавов не обладал ГЦК – структурой, авторы предположили, что ГЦК – структура поверхностных сплавов формируется при сильном переохлаждении расплава в соответствии с наиболее простой схемой упаковки атомов в этой структуре. Такая схема более всего воспроизводит схему упаковки атомов в жидкости, поэтому при быстром отвердевании требуются лишь незначительные смещения атомов для формирования кристаллической структуры. На [...]

    Смотреть »

  • Метастабильные структуры с ГЦК – решеткой

    Время зародышеобразования ТгС, вероятно, меньше 100 не. При высокой плотности таких частиц в жидком железе процесс эпитаксиальной кристаллизации нарушается. Вместе с тем авторы не исключают, что произвольно ориентированные микро кристаллиты TiC и Fe могут формироваться на движущейся границе раздела твердая фаза – жидкость. Отметим, что результаты электронно-микроскопических исследований импульсно-расплавленных сплавов Fe (Ti, С) методом ПЭМ, вообще говоря, указывают только на формирование микрокристаллического однофазного сплава с ГЦК – решеткой. Проводимый ниже анализ процессов структурообразования быстро охлажденных жидких сплавов показывает, что формирование [...]

    Смотреть »

  • Облучения аморфного ионно-имплантированного сплава

    После электронного облучения аморфного ионно-имплантированного сплава Fe(Ti, С), содержащего также до 20% атомов Ti и существенно большее количество атомов С (до 20%), обнаружено формирование микрокристаллической структуры сплава Fe (Ti, С). Размеры кристаллитов не превышают 2 нм. Электронограмма быстро охлажденного из жидкой фазы сплава Fe (Ti, С) состоит из диффузно-уширенных колец, соответствующих отражениям от ГЦК – фазы TiC с параметром решетки, равным 0,411 нм. В результате тщательного анализа авторы выделили отражение от плоскостей (111) и (200), на основе чего ими и [...]

    Смотреть »

  •  
  • Образование микрокристаллических структур

    В сплавах Al(Ni), содержащих более 27% Ni, структура формируется в результате отвердевания расплава, в котором зародились кристаллические фазовые включения AINi. Однако, несмотря на процессы преципитации в расплаве, в алюминии сохраняется достаточное количество легирующих атомов никеля, вследствие чего при его быстром охлаждении фиксируется аморфная структура сплава Al(Ni) с кристаллическими включениями соединения AINi. Образование микрокристаллических структур. Для систем элементов, в которых зарождение твердых фазовых включений за время существования жидкого сплава развивается более интенсивно, возможен и другой результат структурообразования после импульсного плавления. В [...]

    Смотреть »

  • Изучение температурных полей

    Это может обусловливать формирование необходимого ближнего порядка в жидкости во время отвердевания. Так, образование кластеров из атомов Ni будет приводить к тому, что в некоторых микро областях произойдет зарождение локализованной аморфной структуры. Такие микровключения нарушают процесс эпитаксиальной кристаллизации. Не исключена также возможность замораживания аморфной структуры, которая уже в твердой фазе локально трансформируется в поликристаллическую. Следует заметить, что на равновесной фазовой диаграмме системы Al – Ni существует ряд промежуточных фаз, которые могут зарождаться в жидкой фазе при импульсном плавлении сплава Al(Ni). [...]

    Смотреть »

  • Исследования с помощью метода ПЭМ сплава

    Предварительную имплантацию ионов никеля в А1 (110) проводили так, чтобы получить достаточно однородное по глубине матрицы (до 100 нм) распределение атомов никеля. Как следует из результатов структурных исследований, после ионной имплантации № в поверхностном слое А1 еще сохранилась возможность каналирования ионов анализирующего пучка. После же плавления и быстрого охлаждения сплава А1 (№) из жидкой фазы такая возможность отсутствовала, что указывает на полное нарушение эпитаксиальной кристаллизации (спектр 2). Исследования с помощью метода ПЭМ сплава А1 (№), содержащего № в концентрации до [...]

    Смотреть »

  •  
  • Импульсное плавление

    Рассмотрим конкретный пример перехода в структурообразовании импульсно-расплавленных сплавов от эпитаксиальной кристаллизации к формированию аморфного сплава. В исследованы особенности структурообразования импульсно-расплавленных поверхностных сплавов А1 (№), содержащих различное количество атомов никеля. Сплавы создавались предварительной имплантацией ионов никеля в монокристалл А1(110). Импульсное плавление проводили с помощью наносекундного (65 не) электронного импульса. При невысоких атомных концентрациях никеля (до 1%) наблюдаются эпитаксиальная кристаллизация расплава и образование метастабильного твердого раствора № в А1. Повышение атомной концентрации никеля до 3,5% приводит к появлению после импульсного плавления малых [...]

    Смотреть »

  • Подавление процесса кристаллизации расплава

    Если эта граница «сгребает» перед собой атомы Бп, то они при «столкновении» с растворенными в расплаве атомами неизбежно образуют микро скопление, которое уже не может диффундировать и захватывается в кристаллизующийся объем. При дальнейшем охлаждении оно кристаллизуется с образованием фазового включения. Как отмечалось выше, вследствие быстрого движения границы отвердевания не все атомы успевают уйти с нее в. расплав, а захватываются в кристаллизующийся объем с образованием твердого раствора Бп в Ге. Однако не исключены и твердофазные превращения в таком пересыщенном (сразу после [...]

    Смотреть »

  • Механизм образования фазовых включений

    Ионно-имплантированный сплав с максимальной атомной концентрацией Бп до 10% получен В путем имплантации Бп + с энергией 200 кэВ до дозы 1017 см-2. Анализ ЭМ – спектров 119Бп для лазерно – и ионно-имплантированных сплавов показывает, что и в тех и в других сплавах эти спектры состоят в основном из двух дублетов. Каждый из дублетов представляет собой огибающую неразрешенных магнитных компонент, соответствующих соединению РеБп2 и твердому раствору Бп в Ре (Ре [Бп]). Положение центров огибающих линий в дублетах указано стрелками. При [...]

    Смотреть »

  •  
  • Применение метода ЭМС

    Применение метода ЭМС, с помощью которого можно фиксировать зарождение фазовых включений существенно меньшего размера (из минимального числа атомов, необходимого для образования соответствующей структуры), позволяет выявить общность в характере процессов зародышеобразования при образовании ионно – и лазерно-имплантированных сплавов. Рассмотрим случай ионной и лазерной имплантации и9Бп в железо. Согласно, при достаточно высоких температурах (более 1534°С) олово полностью смешивается с железом в жидком виде, если его атомная концентрация не превышает 30%. При больших концентрациях Бп существует область не смешиваемости в жидком виде. Ниже [...]

    Смотреть »

  • Образование фазовых включений в жидком алюминии

    При этом кристаллическая решетка включений меньших размеров ориентирована относительно решетки матрицы, обусловливая образование точечных рефлексов от этих включений на электронограмме сплава. Кристаллическая решетка отдельных фазовых включений большего размера ориентирована произвольным образом относительно решетки матрицы, обусловливая образование кольцевых рефлексов от AlSb на электронограмме сплава. Исходя из этого, авторы заключили, что большие включения AlSb зарождаются в жидкой фазе, а включения меньших размеров образуются в результате преципитации в твердой фазе. После лазерного облучения ионно-имплантированного сплава А1 (БЬ), температура матрицы которого при облучении поддерживалась [...]

    Смотреть »

  • Процесс эпитаксиальной кристаллизации расплава

    При этом атомы БЬ (по данным метода ОР) занимали неупорядоченное положение в решетке матрицы. Как уже отмечалось, согласно фазовой диаграмме системы А1 – БЬ достаточно интенсивное импульсное лазерное воздействие на сплав должно приводить к образованию гомогенного по составу расплава (при разогреве поверхностного слоя выше 1065°С). При охлаждении расплав, содержащий 2% атомов БЬ, проходит через двухфазную область (жидкий А1 + твердые включения AlSb). Для варьирования временем, в течение которого этот сплав будет проходить двухфазную область при охлаждении, можно изменять скорость охлаждения [...]

    Смотреть »

  •  
  • Зародышеобразование фазовых включений в расплаве

    Результаты исследования методом ЭМС показывают, что существует много общего в структуре окружения атомов Бп, внедренных в матрицу Мо ионной и лазерной имплантацией. Это позволяет предположить, что металлургические процессы «закалки» микро области теплового пика, образующегося при внедрении – иона Бп в Мо, играют во многом определяющую роль в формировании структуры ионно-имплантированного сплава Мо (Бп). Как показал метод ЭМС, основное различие в структуре ионно – и лазерно-имплантированных сплавов Мо (Бп) заключается в большей степени дефектности структуры первых по сравнению со структурой вторых. [...]

    Смотреть »

  • Фазовый анализ ионно-имплантированных сплавов

    Для выяснения природы линии 2 был проведен отжиг ионно-имплантированного до дозы 6,5 • 1016 см»2 сплава в вакууме (Ю-4 Па). Отжиг при 300°С в течение 30 мин не вызвал каких-либо заметных изменений в резонансном спектре, измеренном при комнатной температуре. После отжига при 600°С в течение 30 мин, когда начался, согласно, отжиг радиационных дефектов в Мо, интенсивность линии 2 заметно уменьшилась, а линия 1 несколько увеличилась. В целом интенсивность резонансного спектра ионно-имплантированного образца после отжига при 600°С немного уменьшается. Это может [...]

    Смотреть »

  • Возникновение радиационных нарушений

    Возникновение радиационных нарушений проявляется в увеличении наклона спектра 2 при энергиях, соответствующих рассеянию ионов Не + в имплантированном слое. Это указывает на сохранение после имплантации дозы 1016 см-2 достаточно совершенной монокристаллической решетки Мо и на образование в решетке разбавленного ионно-имплантированного сплава Мо (Бп) в основном протяженных дефектов типа дислокаций. Согласно критерию, в разбавленном ионно-имплантированном сплаве олово должно располагаться в узлах кристаллической решетки молибдена. При этом на соответствующей диаграмме Даркена – Гурри для сплавов на основе молибдена олово располагается практически на [...]

    Смотреть »

  •  
  • Слабое различие значений энергии – ионов

    Рассмотрим пример сравнительного исследования методом ЭМС структурообразования метастабильного твердого расплава олова в молибдене при ионной и лазерной имплантации стабильного изотопа 119Sn в монокристалл Мо (100). Согласно, данные элементы равновесных сплавов и соединений не образуют. Методика лазерной имплантации атомов 119Sn в молибден, которая позволяет провести легирование на глубину более 200 нм при максимальной концентрации 30% атомов Sn. Имплантацию – ионов 119Sn+ с энергией 30-50 кэВ проводили дозами 1016-6,5-1016 см-2 на установке с лазерно-плазменным источником ионов, где для получения – ионов 119Sn+ [...]

    Смотреть »

  • Структура атомного окружения имплантированных элементов

    Для других же систем при меньших скоростях охлаждения расплава, характерных для лазерного облучения, развиваются процессы эпитаксиальной кристаллизации и захвата легирующих атомов в узлы кристаллической решетки, в то время как при ионной имплантации легирующие атомы занимают неупорядоченное положение. В таких системах использование лазерной имплантации позволяет расширить концентрационный интервал получения метастабильных твердых растворов замещения. Структура атомного окружения имплантированных элементов в метастабильных сплавах. Изложенные результаты сравнительного исследования структурообразования метастабильных твердых растворов при ионной имплантации и импульсном плавлении получены в основном методами ОР и [...]

    Смотреть »

  • Формирование метастабильных твердых растворов

    ОР – и ПЭМ – исследования позволили авторам сделать вывод об образовании пересыщенного твердого раствора Сг в Си при лазерной имплантации Сг в Си. Следует отметить, что облучение многослойной системы Си (20 нм) – Сг (5 нм) на монокристаллической матрице меди ионами Хе+ (1 МэВ) также приводит к перемешиванию атомов Сг и Си в поверхностном слое, но эпитаксиальной кристаллизации сплава Си(Сг) при этом не обнаружено. Сопоставление результатов по формированию метастабильных твердых растворов методами ионной имплантации и быстрого охлаждения расплава при [...]

    Смотреть »

  •  
  • Исследования лазерно-имплантированного сплава

    Так, пересыщенный твердый раствор Сг в Си получен при лазерной имплантации Сг в Си по методике, которая включала лазерное облучения многослойной системы Си (20 нм) – Сг (5 нм), нанесенной на монокристаллическую матрицу Си (НО). На равновесной фазовой диаграмме Сг – Си, имеется область не смешиваемости в жидком виде при атомной концентрации Сг более 50%, и двухфазный режим (Сг + жидкость), расположенный ниже кривой ликвидуса, реализуется практически во всем диапазоне концентраций в интервале температур 1075-1470°С. Растворимость атома Сг в Си [...]

    Смотреть »

  • Подавление зародышеобразования второй фазы

    Представленные результаты показывают, что структура поверхностных сплавов из элементов, не полностью смешивающихся в жидкой фазе и содержащих небольшое количество примесных атомов (приблизительно 1%), при импульсном наносекундном плавлении формируется в результате эпитаксиальной кристаллизации расплава на кристаллической решетке матрицы. При этом, вследствие высоких скоростей охлаждения расплава и невысокой концентрации примеси, процесс зародышеобразования при прохождении температурного интервала, соответствующего двухфазной области на диаграмме состояния (жидкость + твердая фаза), не успевает развиться. В силу этого кристаллизация протекает из гомогенного расплава по механизму захвата легирующих атомов, [...]

    Смотреть »

  • Замораживание после импульсного плавления сплава

    Образование поверхностного пика в распределении Ьа по глубине в импульсно-расплавленном сплаве № (Ьа) объясняется захватом атомов лантана в оксиды и частичным испарением поверхностного слоя матрицы. Замораживание после импульсного плавления сплава №(Ьа) с сильно нарушенной кристаллической решеткой и неупорядоченным расположением в ней атомов Ьа (по результатам исследования методом ОР) объясняется, вероятно, генерацией дефектов и интенсивным захватом этих дефектов атомами Ьа при кристаллизации, тем более что взаимодействие примесных атомов с дефектами (вакансиями) усиливается с увеличением размеров атомов. Атом Ьа обладает существенно, большим [...]

    Смотреть »

  •  
  • Сильное изменение топографии поверхности образца

    Измерения методом ОР показали, что после импульсного плавления, ионно-имплантированного сплава наблюдается эпитаксиальное восстановление структуры сплава на монокристаллической матрице, но неупорядоченное расположение атомов Ьа в решетке матрицы при этом сохраняется. Для всего диапазона интенсивности облучения выход ионов, рассеянных на атомы Ьа, не зависит от ориентации пучка относительно кристалла. В результате быстрого охлаждения расплава № (Ьа) в поверхностном слое замораживается существенно больше дефектов, чем образуется в процессе ионной имплантации, хотя полное число атомов Ьа и их концентрация в матрице уменьшаются вследствие испарения [...]

    Смотреть »