Последние записи

  • Имплантация двухзарядных ионов лантана с энергией

    Имплантация ионов Hf + с энергией 150 кэВ до дозы 3 • 1016см-2 в монокристалл Ni (ПО) приводит к образованию сплава с организацией расплава. Как видно, наряду с эпитаксиальной кристаллизацией расплава после импульсного плавления сплава № (НО изменяется характер расположения атомов гафния в матрице сплава). Если в ионно-имплантированном сплаве Ш занимает неупорядоченное положение в матрице, то в глубине сплава, облученного лазером, концентрация, атомов составляет 1,6%, до 93% атомов гафния располагается в узлах монокристаллической решетки никеля. Равновесная же растворимость этих атомов [...]

    Смотреть »

  • Плавления, ионно-имплантированных слоев

    Рассмотрим более подробно несколько характерных случаев структурообразования поверхностных сплавов после импульсного плавления – ионно-имплантированных слоев. При ионной имплантации Мо + в А1 с энергией 150 кэВ до дозы 1,1 • 1016 см~2 образуется метастабильный твердый раствор замещения Мо в А1. Максимальная концентрация атомов молибдена в сплаве равна 2,1%. После импульсного лазерного облучения, вызывающего плавление поверхностного слоя, также отмечается образование метастабильного твердого раствора замещения с максимальной концентрацией до 1,3%. При этом отмечается повышение доли атомов Мо, занимающих узельное положение в решетке [...]

    Смотреть »

  • Пересыщенные твердые растворы замещения

    В зависимости от скорости охлаждения расплава, концентрации элементов и их термодинамических свойств возможно как замораживание однофазных твердых растворов, так и образование многофазных кристаллических сплавов и стеклообразных структур. Возможности получения аморфных металлических сплавов методом лазерной имплантации. Разбавленные, пересыщенные твердые растворы замещения. Многочисленные исследования импульсного наносекундного плавления поверхностных сплавов, созданных ионной или лазерной (электронной) имплантацией различных элементов в такие матрицы, как А1, N1, Си, Ге, показали, что в большинстве случаев при невысоких концентрациях легирующих атомов (несколько процентов) после плавления фиксируется кристаллическая структура [...]

    Смотреть »

  •  
  • Системы элементов, не полностью смешиваемых в жидкой фазе. Негомогенный расплав.

    Негомогенный расплав. Характерным примером таких систем элементов является система А1 – БЬ. При импульсном плавлении поверхностного сплава, созданного ионной или лазерной имплантацией сурьмы в алюминий, отвердевание расплава будет начинаться на границе с нерасплавленной матрицей при температурах, близких к температуре кристаллизации алюминия. При этом в объеме расплава, содержащего более 0,25% атомов сурьмы, и разогретого до более высоких температур, чем граничная область расплав – твердая фаза, могут протекать процессы зарождения твердых включений относительно тугоплавкого соединения А18Ь. Тогда отвердевание расплава будет развиваться из [...]

    Смотреть »

  • Результаты по импульсному плавлению поверхностных сплавов

    Как видно, облучение вызывает взаимную диффузию Ре и Ре, однако после плавления на поверхности частично сохраняется слой Рй. Эффект каналирования ионов в этом слое после плавление не обнаружен. Исследования методом ПЭМ показали, что на поверхности образуется слой Ро1 с ГЦК – решеткой. При этом в исследованиях на поликристаллическом железе обнаружено, что после импульсного плавления системы Р(1(40 нм) – Ре в пленке палладия с ГЦК – решеткой можно выделить границы зерен, совпадающие с границами зерен глубже залегающей матрицы Ре с ОЦК [...]

    Смотреть »

  • Ячеистая дислокационная структура

    После импульсного плавления, ионно-имплантированных сплавов наблюдаются эпитаксиальная кристаллизация расплава и образование ОЦК – фазы пересыщенного твердого раствора Ра» в Ре. При этом отмечается диффузионное уширение концентрационного профиля распределения палладия, обусловливающее некоторое уменьшение его максимальной концентрации в сплавах. Доля атомов Ра» (93%), занимающих узельное положение в ОЦК – решетке Ре, практически не меняется после плавления. Следует отметить, что легирование матрицы Ре палладием (до 10%) хотя не нарушает процесс эпитаксиальной кристаллизации, но несколько изменяет картину дефектообразования. Если импульсное плавление Ре, как и [...]

    Смотреть »

  •  
  • Влияние процессов эпитаксиальной кристаллизации

    При малых концентрациях Ра согласно диаграмме существует перитектическая реакция при 1478°С. Поэтому при концентрациях атомов Рй менее 3,3% в равновесных условиях расплав кристаллизуется с образованием ОЦК – фазы при концентрациях Ра» более 6,5% с образованием ГЦК – фазы. В исследовано структурообразование при импульсном плавлении трех сплавов Ре (Р

    Смотреть »

  • Механизмы кристаллизации гомогенных сплавов

    Таким образом, в равновесных условиях сплав ТС (7т) сначала кристаллизуется как 6 фаза, затем при охлаждении трансформируется в сС – фазу по мартенситному типу превращения. В лазерную имплантацию Ъх в монокристалл ТС (0001) проводили путем лазерного облучения (£и = 100 не, д0 = 40 МВт/см2 ) на воздухе системы Ъх (200 нм) – ТС. Концентрация атомов Ъх в сформированном сплаве достигала 29%, глубина легирования была равна 500 нм. Изучение исходного монокристалла ТС (0001) после лазерного облучения и лазерно-имплантированного сплава ТС [...]

    Смотреть »

  • Максимальная концентрация атома

    Измерения спектров ОР для таких сплавов, также указывают на образование пересыщенных твердых растворов замещения, так как равновесная растворимость Аи в Ni при комнатной температуре менее 1%. Отметим, что после лазерного облучения, сопровождающегося импульсным плавлением поверхностного слоя и диффузионным уширением профиля распределения золота по глубине, наблюдается значительное уменьшение степени дефектности в кристаллической решетке сплава. Вместе с тем электронно-микроскопический анализ поверхностных сплавов, содержащих до 18% Аи, указывает на то, что в сплаве присутствуют две фазы с ГЦК – решеткой: №3Аи и Аи3№ [...]

    Смотреть »

  •  
  • Структурные превращения в твердой фазе

    Структурные превращения в твердой фазе. В системе Аи – № элементы полностью смешиваются в жидкой фазе, а также в твердой фазе при высоких температурах. Однако при температурах ниже 812°С на диаграмме существует область не смешиваемости между растворами с ГЦК – решеткой на основе Аи и №. При формировании поверхностного сплава № (Аи) на матрице № он должен кристаллизоваться с ГЦК – решеткой на матрице с решеткой такого же типа. Максимальная концентрация атома Аи в сплаве равна 21%, глубина внедрения атомов [...]

    Смотреть »

  • Системы элементов, полностью смешиваемых в жидкой фазе. Гомогенный расплав.

    При создании сплавов методом лазерной имплантации в системах элементов, которые полностью смешиваются в жидкой фазе во всем температурном интервале существования расплава, структура сплава формируется в результате отвердевания гомогенной жидкости. Очевидно, что если элементы полностью смешиваются не только в жидкой, но и в твердой фазе и при этом структура (кристаллическая решетка) сплава аналогична структуре матрицы, то при лазерной имплантации должны формироваться сплавы, аналогичные сплавам, создаваемым обычными металлургическими методами, т.е. сплавы с кристаллической структурой твердого раствора. Именно такой результат получен в при [...]

    Смотреть »

  • Существование аллотропического превращения в твердом хроме

    Существование аллотропического превращения в твердом хроме при температурах, близких к температуре плавления, не исключает возможность эпитаксиальной кристаллизации расплавленного поверхностного слоя, как это наблюдается в случае импульсного плавления монокристаллов Т1 и Ве. Однако результаты по структурообразованию в хроме не следует рассматривать как исключение из правила, определяющего условие эпитаксиальной кристаллизации, а именно отсутствие аллотропических превращений. Как отмечено выше, относительно существования аллотропических модификаций хрома пока еще нет полной ясности. Исключение представляет эпитаксиальная кристаллизация импульсно-расплавленного поверхностного слоя монокристалла железа. При охлаждении железа возможны следующие [...]

    Смотреть »

  •  
  • Влияние аллотропических превращений на кристаллизацию

    Однако в случае, ионного облучения образуется поверхностный слой оксидов с некристаллической структурой, в случае лазерного облучения – включения кристаллического оксида хрома. После облучения монокристалла Сг лазерными импульсами с Р = 8 Дж • см»2 (выше порога кипения) структурные изменения в глубоких слоях монокристалла аналогичны изменениям, происходящим при облучении с Р = 4 Дж • см»2. Однако в зоне плавления после кристаллизации образуется кристаллическая структура со слабо раз ориентированными блоками. Причина нарушения эпитаксиального восстановления решетки в данном случае, вероятно, состоит в [...]

    Смотреть »

  • Сопоставление данных результатов по структурообразованию

    Таким образом, при наносекундном лазерном облучении с Р = 4 Дж см»2 (ниже порога кипения) монокристалла Сг с произвольно ориентированной плоскостью поверхности образца в слоях, лежащих глубже зоны плавления (около 1 мкм) в результате действия термомеханических напряжений, обусловленных большими температурными градиентами при нагреве и охлаждении (106 К • см-1), возникают дефекты, но при этом сохраняется достаточно совершенная монокристаллическая структура. На этой монокристаллической подложке, эпитаксиально кристаллизуется расплавленный поверхностных слой (около 0,4 мкм). В процессе быстрой кристаллизации и при резком охлаждении в [...]

    Смотреть »

  • Анализ формы энергетических спектров

    Эти изменения изучали методом ОР, проводя измерение энергетических спектров рассеянных протонов после электрохимического стравливания поверхностного слоя. Анализ формы энергетических спектров ОР, измеренных в режиме ориентированного пучка протонов, и зависимости основных параметров этих спектров (скорости деканалирования протонов и Хтщ) от энергии протонов в пучке показал, что после лазерного облучения с плотностями энергии 4 и 8 Дж • см»2 в глубоких слоях матрицы сохраняется достаточно совершенная монокристаллическая структура. Облучение приводит – к образованию дефектов протяженного типа, однако в глубоких слоях зависимость структурных [...]

    Смотреть »

  •  
  • Энергетические спектры ОР

    Поэтому, как и в описанном выше случае облучения никеля, глубину 400 нм, определенную по излому на спектре 3, можно принять за характерную глубину плавления хрома лазерным импульсом длительностью 20 не. Анализ зависимости скорости деканалирования ионов на дефектах от энергии, ионов в анализирующем пучке показал существование дефектов протяженного типа, вероятно, дислокаций. Энергетические спектры ОР, измеренные для монокристаллов хрома, облученных лазером с большими плотностями энергии. При облучении с Р = 8 Дж • см-2 выход рассеянных протонов зависит от ориентации анализирующего пучка [...]

    Смотреть »

  • Изучение характера структурообразования

    рмируется в результате внедрения в Сг при облучении на воздухе атомов кислорода и образования кристаллических включений Сг2Оэ. Данный факт установлен в результате исследований облученных образцов методами ПЭМ и РФС. Представлены результаты РФС – измерений, которые указывают на окисление Сг, поскольку энергия связи е для уровня Сг 2р3/2 в металлическом Сг составляет 574,1 эВ, а в соединении Сг203 -576,9 эВ. Обогащение поверхностного слоя атомами легкого элемента, а также изменение топографии поверхности могут влиять на форму спектра ОР для разориентированного пучка. Следует [...]

    Смотреть »

  • Микроскопические исследования поверхности хрома

    Микроскопические исследования поверхности хрома до и после лазерного облучения показали, что лазерное воздействие с интенсивностями в интервале 4-15 Дж • см-2 приводит к изменениям топографии поверхности. Если при воздействии с умеренными интенсивностями (около 4 Дж • см»2) облучение приводит к формированию топографии с мягкими контурами замороженной жидкости, то при больших интенсивностях воздействия (15 Дж • см»2) на поверхности образуется микро кратер со следами плавления. Расчеты на ЭВМ теплового поля показали, что при облучении хрома импульсом энергии (треугольная форма, ги = [...]

    Смотреть »

  •  
  • Кристаллизация расплава в условиях кипения

    Для определения интенсивности воздействия, соответствующей началу испарения расплава, предварительно в образец на глубину до 10 нм имплантировали ионы Re с атомной концентрацией около 3%. Предполагалось, что вследствие невысокой концентрации Re в хроме он не должен повлиять на характер структурообразования хрома после импульсного плавления. В облучаемых образцах ось монокристаллической решетки была отклонена на угол 15° от нормали к поверхности, что позволяло изучить лазерно-индуцированные структурные изменения в условиях произвольной ориентации поверхности образца относительно кристаллической решетки. Изучение характера структурообразования в импульсно-расплавленном Сг интересно [...]

    Смотреть »

  • Влияние ориентации монокристаллической решетки матрицы

    Влияние ориентации монокристаллической решетки матрицы относительно плоскости поверхности образца на дефектообразование при импульсном плавлении исследовано методом ОР в для металлов с ОЦК – и ГЦК – решеткой. В обоих случаях качество восстановления монокристаллической решетки при эпитаксиальной кристаллизации расплава наилучшее (наихудшее) тогда, когда поверхность образца совпадает с атомной плоскостью с наименьшей (наибольшей) плотностью упаковки. Плоскости сдвига совпадают с атомными плоскостями с наибольшей плотностью упаковки: (111) для ГЦК – и (ПО) для ОЦК – решеток. Кристаллизация расплава в условиях кипения. В описанных [...]

    Смотреть »

  • Отсутствие излома в спектрах ОР

    Авторы предположили, что при лазерном воздействии на А1 с интенсивностями ниже порогового значения деформация может развиваться как на стадии разогрева, так и на стадии охлаждения. И сдвиговые деформации на стадии охлаждения могут «залечивать» изменения в структуре, образующиеся вследствие сдвиговых деформаций, действующих на стадии разогрева. В случае же превышения порогового значения интенсивности, сдвиговые деформации первой стадии удаляются плавлением, а деформация, развивающаяся в твердой фазе после кристаллизации расплава, становится сильно выраженной. Отсутствие излома в спектрах ОР, измеренных для импульсно-оплавленных образцов алюминия, объясняется [...]

    Смотреть »

  •  
  • Интенсивное дефектообразование в облученных металлах

    В монокристаллической решетке алюминия с плоскостью поверхности (ПО) после наносекундного воздействия, приводящего к плавлению образца, возникают деформации сдвига по плоскостям (111). Сдвиговые деформации, развивающиеся в поверхностном слое матрицы, вызывают образование блочной структуры с характерным размером блоков 10 мкм, в которой блоки несколько (на 0,2°) разориентированы относительно исходной кристаллической решетки матрицы, это и приводит к увеличению хтщ в спектрах ОР от поверхности облученных образцов. Интенсивное дефектообразование в облученных металлах обусловлено в основном пластической деформацией в твердой фазе при термической обработке. Процессы [...]

    Смотреть »

  • Исследования тонких образцов алюминия после облучения

    Анализ микроструктуры показал, что при облучении алюминия, не вызывающего плавления поверхностного слоя, в нем образуются в основном дислокации. В случае же импульсного плавления поверхностного слоя в нем замораживаются главным образом дислокационные петли вакансионного типа. Размер петель изменяется в пределах от 5 до 90 нм при среднем размере 20 нм. Полное число вакансий, содержащихся в петлях, не превышает 8 • 10-3%, несмотря на то что равновесная концентрация вакансий в А1 вблизи температуры плавления достигает 0,1%. Столь малое количество замороженных вакансий может [...]

    Смотреть »

  • Увеличение скорости деканалирования ионов

    Действительно, при больших скоростях движения границы кристаллизации некоторые вакантные места на этой границе (куда не произошло внедрение атома из расплава) могут быть сохранены под следующим слоем кристалла. При этом за время наращивания нового слоя атом матрицы может сместиться по механизму диффузии в твердой фазе лишь на расстояние менее 10~4нм, а за время нагрева – на расстояние менее 0,02 нм. Несколько иная картина дефектообразования обнаружена после наносекундного лазерного облучения монокристалла алюминия. Согласно результатам микроскопического исследования топографии облученных образцов А1, пороговое значение [...]

    Смотреть »

  •  
  • Эпитаксиальное восстановление кристаллической структуры

    Видно, что после облучения сохраняется монокристаллическая структура матрицы. Однако скорость деканалирования в поверхностном слое глубиной 200 нм увеличивается после облучения, указывая на образование дефектов в этом слое монокристалла. При этом на спектре ОР, измеренном в режиме каналирования, появляется характерный излом, который отмечен стрелкой. Исследования зависимости скорости Деканалирования ионов от их энергии показали, что в монокристаллической решетке № образуются дефекты протяженного типа (дислокации). Образование большого количества линейных дислокаций и их сплетений в № после наносекундного лазерного плавления обнаружено в при анализе [...]

    Смотреть »

  • Кристаллизация расплава и формирование микроструктуры

    Как будет показано ниже, наносекундное лазерное воздействие на металлы с интенсивностями, превышающими порог плавления, но ниже порога интенсивного испарения, не вызывает каких-либо существенных изменений в слоях матрицы, лежащих глубже зоны плавления. Поэтому расплавленный поверхностный слой охлаждается при идеальном контакте со слоем, обладающим достаточно совершенной кристаллической решеткой. Это обусловливает развитие процессов эпитаксиальной кристаллизации расплава в подавляющем большинстве случаев наносекундного плавления монокристаллов металлов. Согласно данным, эпитаксиальная кристаллизация слоя, расплавленного за счет импульсного лазерного (или электронного) воздействия обнаружена в металлах с ГЦК – [...]

    Смотреть »

  • Структурные изменения в металлах при наносекундном лазерном воздействии

    В связи с тем, что структура лазерно-имплантированного сплава формируется в результате быстрого охлаждения расплава, естественно провести анализ результатов по структурообразованию таких сплавов, учитывая особенности диаграмм состояния систем сплавляемых элементов. Чтобы разделить влияние на структурообразование сплавов свойств внедряемых атомов и собственно эффект быстрого охлаждения, имеет смысл рассмотреть поведение матриц из чистых металлов при наносекундном лазерном воздействии. Вопрос о структурообразовании при высоких скоростях ввода энергии в вещество интересно изучить, сопоставляя результаты, полученные в неравновесных условиях при лазерной и ионной имплантации и при [...]

    Смотреть »

  •  
  • Ионное легирование металлов при комнатной температуре

    Однако в большинстве случаев отмечается лишь образование фазовых включений с простой структурой Хэгга и со структурой типа CsCl. Выпадение фазовых включений, обладающих более сложной структурой, обнаружено только в системах, характеризующихся достаточно высокой подвижностью атомов при комнатной температуре. В характере структурообразования слоев (сплавов), создаваемых ионной имплантацией и ионно-лучевым перемешиванием в таких системах элементов, в которых удается реализовать ионно-стимулированное перемешивание на атомном уровне (системы с отрицательной теплотой смешивания элементов), много общего. В тех же системах, элементы которых характеризуются сильной химической несовместимостью (положительная [...]

    Смотреть »

  • Обработка металлических материалов методом ионной имплантации

    В общем случае для того, чтобы прогнозировать аморфизацию соединений, необходимо знать критические температуры дозы аморфизации и учитывать возможную зависимость эффективности превращения от плотности энергии, которая передается налетающей частицей атомам соединения в каскаде столкновений. Обработка металлических материалов методом ионной имплантации может приводить к существенным структурно-фазовым изменениям в поверхностных слоях обрабатываемой матрицы. Проведенные к настоящему времени исследования позволяют выявить ряд закономерностей в ионно-индуцированном структурообразовании металлических сплавов. Однако этих исследований не достаточно для построения метастабильных фазовых диаграмм ионно-имплантированных (ионно-перемешанных) сплавов и для установления [...]

    Смотреть »

  • Обзор экспериментальных работ по ионному облучению

    Согласно этой модели, последний параметр равен разности между всем концентрационным интервалом (100%) и максимальными значениями взаимной растворимости элементов, определенными по соответствующей равновесной фазовой диаграмме. Значения параметров АНт и С для различных систем. Лиу отметил, что все склонные к ионно-индуцированной аморфизации системы элементов характеризуются достаточно большим возможным интервалом аморфизации и обладают выраженной отрицательной теплотой смешивания. Если же один из параметров не удовлетворяет этим условиям, то система оказывается вне группы склонных к аморфизации систем (вероятнее всего, в группе возможной аморфизации). Так, системы [...]

    Смотреть »

  •  
  • Возможный концентрационный интервал аморфизации

    Например, в системе элементов М (ГЦК) – № (ОЦК) аморфные фазы образуются после ионно-лучевого перемешивания (при комнатной температуре в концентрационном интервале 20-65% атомов N1). Аморфная фаза оказывается стабильной в диапазоне доз Хе+ от 3 • 101Эдо 1,7 • 1016см»2. Согласно результатам исследований поведения различных систем элементов при ионно-индуцированном структурообразовании, все системы можно разделить на три группы. В первую группу следует включить системы, проявляющие особую склонность к ионно-индуцированной аморфизации. Вторая группа включает системы элементов, в которых, в принципе, возможно создание аморфных [...]

    Смотреть »

  • Кристаллическая пленка со средним составом

    В пленке составом Ге50Мо5о кристаллическая структура сохраняется после ионного облучения Хе + вплоть до дозы порядка 2 • 1016 см»2. Облучение приводит к образованию в основном смеси метастабильных кристаллических фаз на основе Ге и Мо, причем первая из них заметно преобладает в фазовом составе. Метастабильная фаза на основе молибдена содержит не более 13% атомов Ге. Кристаллическая пленка со средним составом Ге50Мо50 после облучения, ионами Хе + с дозами больше 2 х х 1016 см»2 содержит лишь микровключения аморфной фазы. Размеры [...]

    Смотреть »

  • Ионное перемешивание в пленке

    Элементы Ni (rUK)HAg (ГЦК) обладают одинаковыми решетками, промежуточные фазы отсутствуют, и теплота смешивания их достаточно велика (22 кДж • моль»1), однако в сообщается о получении методом ионного перемешивания при 77. К аморфного сплава этих элементов. Очевидно, что основная причина противоречий заключается в несовершенстве отмеченных критериев, которые не учитывают возможное влияние на эффективность ионно-индуцированной аморфизации всей совокупности факторов (состава сплава, типа, дозы и температуры ионного облучения). В некоторых системах элементов аморфизацию можно реализовать в узком концентрационном интервале при определенной дозе ионного [...]

    Смотреть »

  •  
  • Определенная внутренняя логическая связь

    Основной вывод, сделанный В, состоит в том, что теплота смешивания является основным параметром в определении склонных к аморфизации систем. Аморфные фазы образуются при ионно-индуцированном структурообразовании, как правило, в таких системах элементов, которые характеризуются отрицательной теплотой смешивания. Отношение атомных радиусов элементов оказывает гораздо меньшее влияние на характер ионно-индуцированного структурообразования. Анализ описанных выше критериев аморфизации показывает, что между ними существует определенная внутренняя логическая связь. Поэтому зачастую прогнозы данных критериев по характеру поведения конкретной системы элементов при ионно-индуцированном структурообразовании оказываются аналогичными. Действительно, многие [...]

    Смотреть »

  • Правило построения полиморфных диаграмм

    Для установления критерия аморфизации авторы предположили, что структура ионно-имплантируемых (или ионно-перемешанных) слоев формируется в результате быстрого охлаждения теплового пика. При достаточно низких температурах, исключающих возможность радиационно-ускоренной диффузии атомов, при быстром охлаждении разогретой зоны пика могут протекать только полиморфные, не требующие переноса атомов на большие расстояния, превращения. Согласно правилу Джонсона, ионно-индуцированное структурообразование при низких температурах будет приводить к аморфизации в сплавах такого состава, который располагается вне полиморфных пределов кристаллических фаз, т.е. если состав попадает в интервал между Т0-кривыми,соответствующими этим фазам. В [...]

    Смотреть »

  • Правило структурного различия

    По мнению авторов, данное правило распространяется также на любую двухфазную область на равновесной диаграмме состояния двойных металлических сплавов, т.е. на любую двухфазную область между присутствующими на диаграмме равновесными интерметаллическими соединениями с различным типом решетки. Структура исходных элементов при этом может быть одинаковой. Если концентрация сплава после ионно-лучевого перемешивания попадает в однофазную область, т.е. соответствует составу некоторого равновесного соединения, но кристаллическая структура этого соединения сложная, то следует также ожидать формирования аморфной фазы. Правило структурного различия позволяет выделить те системы элементов, в [...]

    Смотреть »

  •  
  • Металл при комнатной температуре

    Отметим, что для определения критериев наиболее широко используются результаты структурообразования при ионно-лучевом перемешивании, так как данный метод, в отличие от метода ионной имплантации, позволяет изучить аморфизацию в сплавах практически любого состава. При формировании высоколегированных ионно-имплантированных сплавов в системах металлоид – металл при комнатной температуре аморфная фаза будет образовываться в том случае, если отношение радиусов имплантируемого атома металлоида к радиусу атома матрицы больше 0,59. Лиу с сотр. исследовали ионно-индуцированное структурообразование при комнатной температуре примерно в 20 двойных системах металлических элементов. Была [...]

    Смотреть »

  • Критерии ионно-индуцированной аморфизации

    Отсюда следует, что механизмы аморфизации, действующие в объемах столкновительных каскадов, характеризующихся различной плотностью энерговклада, могут иметь различную природу. В сделана попытка достаточно строгого теоретического описания кинетики аморфизации соединения №А13 при внедрении в него ионов ксенона при 100 К. Описание проведено по модели, предполагающей прямое превращение кристаллической структуры соединения в аморфное состояние в объеме отдельного плотного каскада (теплового пика). При этом использовались известные теоретические модели, позволяющие рассчитать распределение по глубине плотности энергии, передаваемой ионом в столкновениях атомам соединения, найти спектры первично [...]

    Смотреть »

  • Решающее влияние каскадных эффектов на развитие аморфизации

    Решающее влияние каскадных эффектов на развитие аморфизации еще более наглядно проявляется в исследования по ионному и электронному облучению соединения №А13. Облучение этого соединения при комнатной температуре тяжелыми ионами ксенона с энергией 300 кэВ приводит к полной аморфизации при дозах 0,4-0,5 смещение/атом. После бомбардировки в аналогичных условиях ионами неона с энергией 60 кэВ отмечается лишь частичная аморфизация соединения при дозе 17 смещение/атом. Облучение же электронами с энергией 1 МэВ вплоть до дозы 1,14 смещение/атом не приводит к нарушению кристалличности или разупорядочению [...]

    Смотреть »

  •  
  • Сильное влияние химического взаимодействия в ближнем порядке

    По мнению авторов, данные факты указывают на то, что при низких температурах стабильность зарождающейся в кристалле аморфной фазы зависит в основном от химического взаимодействия атомов в ближнем порядке, а не от термодинамических параметров, таких, как свободная энергия кристаллической или аморфной фазы. Сильное влияние химического взаимодействия в ближнем порядке на процессы ионно-стимулированной аморфизации при низких температурах в системах металлоид – металл связано, вероятно, с тем, что в таких системах заметную роль играют ковалентные связи между атомами. Если же ионно-лучевая обработка проводится [...]

    Смотреть »