Последние записи

  • Сравнение критических объемов аморфных кластеров

    В построена теоретическая модель, описывающая процесс аморфизации кристаллического соединения при ионной бомбардировке. Согласно этой модели, аморфизация соединения протекает путем объединения локальных аморфных зон, зарождающихся в областях, где развиваются каскады столкновений, и растущих в размерах при внедрении последующего иона. Для зарождения аморфной зоны с некоторым критическим объемом необходимо, чтобы в ее пределах каскады развивались определенное число раз. Последующее облучение приводит к увеличению площади аморфной зоны. Наилучшее совпадение теоретической модели с экспериментальными данными для №3В наблюдается при каскадах, возникающих дважды, независимо от [...]

    Смотреть »

  • Аморфизация кристаллических соединений

    Таким образом, ионно-индуцированные механические напряжения являются необходимым, но не достаточным условием для развития процессов аморфизации в сплавах металлоид – металл. Превращение из кристаллического состояния в аморфное будет протекать только в том случае, если концетрация имплантированных атомов металлоида в локальной микро области сплава будет превышать некоторое характерное критическое значение. Формирование локализованных аморфных областей при повышении дозы имплантации и определяет кинетику аморфизации. Аморфизация кристаллических соединений. Для полной аморфизации соединений металлов с металлоидами требуются гораздо меньшие дозы облучения по сравнению с характерными дозами [...]

    Смотреть »

  • Снижение механических напряжений

    Снижение механических напряжений в пересыщенном твердом растворе наблюдается как при развитии процессов аморфизации, так и при последующем ионном облучении предварительно созданного пересыщенного раствора. Например, облучение при 77 К пересыщенного ионно-имплантированного твердого раствора В в № (5% В) ионами Аг (600 кэВ) приводит к уменьшению напряжений и вызывает частичную аморфизацию ионно-имплантированного сплава. При внедрении Аг до дозы 2-1015 см» около 35% объема сплава переходит в аморфное состояние. Дальнейшее облучение при 77 К не приводит к увеличению доли аморфной фазы. Интересно отметить, [...]

    Смотреть »

  •  
  • Общая картина фазового превращения из кристаллического состояния

    Затем начинают эффективно развиваться процессы аморфизации, и напряжения в сохраняющейся кристаллической фазе заметно падают. При этом наблюдается и уменьшение параметра решетки кристаллической фазы. В идеальном случае аморфизации, индуцированной напряжениями в сплаве с гомогенным распределением атомов В, параметры решетки и максимальные напряжения в сохраняющейся кристаллической фазе должны оставаться неизменными на стадии фазового превращения. В этой связи заметим, что использованная В методика измерений позволяет действительно точно установить значения отмеченных параметров только в гомогенном по распределению примеси и по фазовому составу сплаве. Общая [...]

    Смотреть »

  • Концепция быстрого охлаждения теплового пика

    В проведено детальное исследование зависимости параметров решетки металлических матриц (N0 и Мо), механических напряжений в них и объемной доли аморфной фазы от концентрации ионно-имплантированных при комнатной и более низких температурах атомов бора. Для исследования использовалась методика дифракции рентгеновских лучей (скользящий пучок) и одновременно измерялись сверхпроводящие свойства имплантируемых пленок. В случае имплантации В до небольших концентраций (менее 5%) наблюдается линейное увеличение параметра решетки матрицы при повышении дозы. Данный факт указывает на формирование при таких концентрациях в основном пересыщенного твердого раствора внедрения [...]

    Смотреть »

  • Механизмы аморфизации при ионном легировании

    Облучение – ионами или электронами соединений, в решетке которых изначально существует определенный ближный порядок расположения атомов различной химической природы, позволяет выделить роль только столкновительных процессов. Механизмы аморфизации при ионном легировании. Сравнения положения дифракционных максимумов и их относительных интенсивностей в картине дифракции для ионно-имплантированных сплавов металлоид – металл и для соответствующих аморфных сплавов, полученных традиционными методами сверхбыстрого охлаждения из жидкой фазы, показало, что в этих картинах дифракции много общего, и, следовательно, данный анализ позволил заключить, что атомная структура аморфных сплавов металлоид [...]

    Смотреть »

  •  
  • Анализ результатов исследования методом ОР эволюции

    После внедрения больших доз наблюдается полное изменение контраста на электронно-микроскопическом изображении: вместо характерного для поликристаллической структуры контраста формируется ровный, более слабый, т.е. типичный для стеклообразных структур. На картине микродифракции электронов при этом проявляются лишь три диффузно-уширенных отражения. Результаты такого комплексного исследования позволяют сделать вывод об образовании при ионной имплантации аморфного сплава Бп с Сг. Таким образом, методика ионной имплантации позволяет получать аморфные сплавы, которые, в принципе, сложно создать традиционными методами быстрого охлаждения жидких сплавов. Анализ результатов исследования методом ОР эволюции [...]

    Смотреть »

  • Повышение коцентрации ионно-имплантируемых атомов олова

    Видно, что спектры ОР, измеренные для атомов Бп в условиях ориентированного и неориентированного пучка, не совпадают. Анализ позволяет установить, что часть атомов Бп из всех внедренных в Сг (атомная концентрация в максимуме распределения 7% Бп) располагается в узлах решетки хрома. Сравнение спектров ОР для исходного и облученного ионами олова монокристалла показывает, что в самой решетке хрома при этом образуется большое число дефектов типа сильно смещенных из узлов решетки собственных атомов (наблюдается характерный пик дефектов). Постепенное повышение коцентрации ионно-имплантируемых атомов олова [...]

    Смотреть »

  • Эволюция структуры металлов

    Аморфные сплавы получены также в системах элементов, обладающих крайне ограниченной взаимной растворимостью элементов в твердой фазе, а в некоторых системах – и в жидкой фазе. Например, аморфные поверхностные сплавы созданы путем внедрения, в основном при комнатной температуре, ионов Та + в Ре, Бу + в №, Та + в Си, УУ+ в Си, Аи + в Р1, 8п+ в Сг. Рассмотрим, как развиваются структурные изменения в матрице металла при имплантации – ионов металла, вызывающей образование аморфной фазы. В качестве характерного [...]

    Смотреть »

  •  
  • Формирование аморфных структур

    Соединение TiRu аморфизируется в случае ионного облучения при 170 К. В случае облучения соединения AINi, проводимого при 80 К, наблюдается переход структуры типа CsCl из упорядоченного в неупорядоченное состояние. При ионно-лучевом перемешивании многослойной системы Al50Ni50 при 77 К структурообразование зависит от дозы облучения; формируется либо аморфная фаза, либо твердый раствор с ОЦК- решеткой, но образования В-фазы не обнаружено. Данные результаты указывают на то, что кристаллические соединения со структурой типа СбС1 образуются, вероятно, при достаточно эффективном протекании процессов радиационно-ускоренной диффузии, т.е. [...]

    Смотреть »

  • Стабильность при ионном облучении

    В результате такого превращения, не требующего изменения в составе, сплав из возбужденного, химически и топологически неупорядоченного состояния будет переходить в кристаллическое с простой структурой типа CsCl. В противном случае (Ti-содержащие сплавы) флуктуации состава в локальных областях сплава будут исключать возможность полиморфного превращения. При ионном облучении металлических соединений, как правило, наблюдается аналогичная зависимость характера ионно-стимулированных структурных изменений от интервала гомогенности данного соединения. Соединения с достаточно большим интервалом гомогенности (более 10%) проявляют высокую стабильность при ионном облучении. Соединения, существующие в узком концентрационном [...]

    Смотреть »

  • Исследования ряда систем элементов

    Исследования ряда систем элементов, образующих согласно фазовой диаграмме соединение со структурой типа СзС1, показали, что формирование таких равновесных соединений с простой структурой при ионно-лучевом синтезе при комнатной температуре является достаточно типичным явлением. Например, оно обнаружено в системах А1 – Рй и А1 – Со. Однако в ряде других систем при ионном перемешивании пленок эквиатомного состава обнаружено образование аморфной фазы. В системе Ге – А1 после ионно-лучевого перемешивания многослойных пленок Ге50А150 образуется метастабильный твердый раствор с ОЦК – решеткой (раз упорядоченное [...]

    Смотреть »

  •  
  • Ионно-лучевое перемешивание многослойных пленок

    Данные по фазообразованию при ионной имплантации, и ионно-лучевом перемешивании хорошо коррелируют с результатами исследования стабильности металлических соединений при ионном облучении. Следует, однако, заметить, что в некоторых случаях между процессами ионного синтеза и ионного облучения металлических соединений могут наблюдаться определенные различия. Так, облучение при 373 К соединения А13№ ионами ксенона до дозы 1015см»2 не приводит к заметным изменениям в его структуре. Облучение в аналогичных условиях многослойной пленки составом А175№25 вызывает формирование соединения А1№. Наблюдаемое различие объясняется, вероятно, тем, что температура, которая [...]

    Смотреть »

  • Структура сплавов

    Структура сплавов, образующихся при внедрении в ГЦК – решетку никеля ионов А1, претерпевает ряд превращений №ХА1100_Х по мере повышения концентрации имплантированного алюминия. Однако на конечной стадии после внедрения очень больших доз ионов А1 в поверхностном слое никелевой матрицы формируется структура, состоящая из аморфной и В – фазы. Ионно-лучевое перемешивание многослойных пленок А1 – № при комнатной температуре приводит к образованию в основном также метастабильных фаз (аморфной и твердого раствора с ГЦК – решеткой) и кристаллического соединения А1№. В наряду с [...]

    Смотреть »

  • Применение методики ионной имплантации

    Применение методики ионной имплантации А1 в № и № в А1 позволяет создавать сплавы практически любого состава. Кроме того, что данная особенность поведения системы А1 – № открывает возможность исследования структурообразования ионно-имплантированных сплавов во всем концентрационном интервале, она дает возможность провести сравнительное исследование микроструктур, созданных различными ионно-лучевыми методиками (ионная имплантация, ионно-лучевое перемешивание, ионное облучение кристаллических соединений). Результаты ряда экспериментальных работ по изучению ионно-индуцированного структурообразования в системе А1. Здесь указаны равновесные соединений, которые существуют в системе А1 – N1, и фазовый [...]

    Смотреть »

  •  
  • Тенденция к формированию кристаллических соединений

    Так, при имплантации ионов Аи до дозы 2 •. 1016 см»2 с энергией 80 кэВ в А1 при температуре порядка 313 К отмечается образование множества мелких включений второй фазы в кристаллической матрице сплава. Имплантация ионов Си с энергией 70 кэВ при дозах более 4 • 1016 см-2 в алюминиевую матрицу при температуре, равной 313 К, приводит к формированию двухфазной структуры, содержащей кристаллические включения 0-фазы СиА12. Образование интерметаллических соединений с простой кристаллической решеткой. Рассмотренные выше примеры формирования сложных по структуре кристаллических [...]

    Смотреть »

  • Ионное облучение при комнатной температуре двухслойных систем

    Ионное облучение при комнатной температуре двухслойных систем Аи – А1 приводит к перемешиванию атомов и образованию слоя равновесного соединения Аи2А1. Длительная бомбардировка такой системы вызывает полное смешивание слоев Аи и А1, а на границе между слоями Аи2А1 и А1 формируется богатая алюминием фаза АиА12- Отметим, что при термическом отжиге системы Аи – А1 вначале, уже во время осаждения, образуется фаза Аи5А12, затем, при температурах до 373 К, зарождается и растет фаза Аи2А1. Последующий нагрев приводит к формированию фазы АиА12. Главные [...]

    Смотреть »

  • Итог ионно-индуцированного структурообразования

    Итог ионно-индуцированного структурообразования в конкретной, склонной к образованию (в равновесных условиях) соединений металлической системе, во многом зависит от кинетических условий при ионном облучении. Поэтому имеет смысл, в первую очередь, рассмотреть особенности структурообразования в таких системах, подвижность атомов в которых при имплантации ионов при температурах, близких к комнатной, может быть достаточно высокой. Система элементов Au – AI является характерным примером таких систем. Взаимная растворимость этих элементов в твердой фазе крайне мала, и они образуютряд интерметаллических соединений. Однако кинетика в этой системе [...]

    Смотреть »

  •  
  • Формирование интерметаллических соединений

    Методика ионно-лучевого перемешивания также может быть Использована для легирования поверхностных слоев металлов атомами металлоидов. Однако при легировании металлов Металлоидами с легкими атомами процессы ионно-лучевого Перемешивания протекают не очень эффективно. Структурообразование сплавов металл – металлоид, полученное методом Ионно-лучевого перемешивания, во многом аналогично струкрообразованию ионно-имплантируемых сплавов этих элементов. После ионно-лучевого перемешивания углерода с железом отмечено образование аморфной структуры, а после перемешивания углерода с титаном – образование карбида титана TiC. Формирование интерметаллических соединений со сложной кристаллической решеткой. Системы металлических элементов, образующих в равновесных [...]

    Смотреть »

  • Аморфная структура

    На электронограммах, измеренных в для ионно-имплантированных сплавов Ге (С), наблюдается несколько слабых рефлексов, которые можно отнести к отражениям от фазовых включений цементита. Однако факт образования включений цементита нельзя считать окончательно установленным. Преимущественное образование гексагонального карбида железа Ре 2 С при внедрении углерода может быть объяснено тем, что для образования включений цементита требуется сложная перестройка в расположении атомов матрицы. Для образования же включения Ре2С, решетка которого определенным образом ориентирована относительно решетки матрицы, требуется лишь небольшое искажение исходной ОЦК – решетки железа. [...]

    Смотреть »

  • Зародышеобразование нитридов

    Если в матрице Ге в процессе имплантации – ионов азота произошло зарождение включения, то кинетические условия обеспечивают его эффективный рост, вследствие достаточно быстрой диффузии атомов N в Ге при комнатной температуре. Согласно диаграмме, имплантация – ионов углерода приводит к формированию кристаллических сплавов в случае обработки металлов с достаточно большим атомным радиусом. Система Ге – С (К = 0,60) располагается на границе, разделяющей на этой диаграмме области аморфных и кристаллических сплавов. В зависимости от дозы имплантации (концентрации) углерода в структурообразовании сплавов [...]

    Смотреть »

  •  
  • Исследования структурообразования в железе и сплавах

    Однако полностью раз упорядоченной структуры не образуется: выход рассеянных ионов гелия при ориентированном анализирующем пучке остается заметно ниже, чем выход рассеянных ионов при неориентированном пучке. Исследования утонченных железных фольг методом ПЭМ после имплантации в аналогичных условиях ионов азота показывают, что в ОЦК – матрице железа образуются включения нитрида железа с гексагональной кубической (ГК) структурой (e – Fe 2 N). Размеры включений в диаметре составляют 20-150 нм. Между решеткой включений и решеткой матрицы обнаружены следующие ориентационные соотношения. Исследования структурообразования в железе [...]

    Смотреть »

  • Образование химических соединений

    Результаты экспериментальных исследований структурообразования, ионно-имплантированных сплавов металлоид – металл. Штриховые линии выделяют на диаграмме область значений, для которых следует ожидать аморфизации при создании ионно-имплантируемых сплавов. Авторы для установления верхнего предела значений использовали результаты исследований структурообразования в сплавах, создаваемых традиционным методом быстрого охлаждения жидких сплавов. Однако в сообщается о получении аморфных структур при имплантации в № ионов Аб, БЬ или В1. В этих случаях значение – Я изменялось от 0,96 до 1,18. Так что, вероятно, в ионно-имплантационной металлургии верхнего предела на [...]

    Смотреть »

  • Внедряемые атомы неметаллов

    Результаты таких исследований позволяют заключить, что при внедрении больших доз таких элементов при комнатной температуре либо формируется аморфная структура, либо образуются кристаллические химические соединения. При этом, как правило, образуются соединения, которые обладают достаточно простой по строению кристаллической решеткой. Для зарождения и роста таких структур в процессе ионной имплантации не требуется существенная перестройка в расположении металлических Томов матрицы, т.е. не требуется эффективная диффузия этих атомов. Внедряемые атомы неметаллов занимают междоузельное положение в простой металлической подрешетке таких соединений. В металлургии равновесных сплавов [...]

    Смотреть »

  •  
  • Формирование химических соединений

    Следует заметить, что при формировании конечной структуры высоколегированных сплавов элементов, образующих промежуточные фазы на диаграмме состояния, с процессом зарождения и роста кристаллических включений второй фазы чаще всего конкурирует процесс замораживания аморфной структуры. Поэтому в настоящем параграфе будут рассмотрены некоторые примеры образования аморфных ионно-имплантируемых структур. Однако наиболее важные аспекты проблемы ионно-индуцированной аморфизации. Формирование химических соединений. При рассмотрении систем элементов, склонных к образованию соединений при ионной имплантации, в первую очередь следует выделить систему ионно-имплантируемый химически активный элемент металлическая матрица. В данном классе [...]

    Смотреть »

  • Образование кристаллических металлических соединений

    Повышение дозы облучения до 1016 см»2 приводило к образованию включений аморфной фазы в метастабильной кристаллической ГПК – структуре пленки, что объяснялось дополнительным перераспределением элементов по объему пленки при ионном облучении. Для установления определенных закономерностей в поведении систем элементов с сильной химической несовместимостью при ионно-лучевом перемешивании, требуются дополнительные всесторонние исследования, зависимости эффективности перемешивания и направленности структурообразования от термохимических и других свойств смешиваемых систем элементов, от концентрации этих элементов, от дозы и температуры облучения, а также, возможно, и от концентрации микропримесей, которые [...]

    Смотреть »

  • Поведение выбранных систем при ионном облучении

    Однако во время развития последующего теплового пика система стремится к сегрегации вследствие сильной химической несовместимости элементов Си и У. В процессе быстрой релаксации теплового пика исходное пространственное распределение атомов Си и УУ может не успевать восстанавливаться, что будет приводить к нарушению формы исходной границы раздела фаз. После ионного облучения многослойных систем Ag – Сг, Ag -^Ь, Си-Об в исследованиях атомное перемешивание элементов также не обнаружено. Поведение выбранных систем при ионном облучении было аналогично поведению системы Си – УУ. Следует, однако, [...]

    Смотреть »

  •  
  • Применение метода ионно-лучевого перемешивание

    Применение метода ионно-лучевого перемешивание для изучения ионно-индуцированного структурообразования в таких системах во всем концентрационном интервале оказывается не всегда возможным. Было показано, что сильное химическое взаимодействие может препятствовать ионно-стимулированному перемешиванию атомов на изначально существующей границе раздела фаз (пленок). В проведена попытка ионно-лучевого перемешивания в некоторых системах элементов, характеризующихся не смешиваемостью в жидкой фазе (Ag – Сг, Си – W) или крайне ограниченной взаимной растворимостью в твердой фазе (,Ag – N0, Си – Об). В экспериментах многослойные пленки облучались ионами Кг+ (400 [...]

    Смотреть »

  • егрегация при ионно-лучевом перемешивании

    В некоторых металлах атомы основной матрицы могут свободно замещаться имплантированными атомами железа, а присутствие димеров не приводит к возникновению каких-либо дополнительных линий в мёссбауэровских спектрах, в других металлах спектры изолированных атомов и димеров различаются между собой, но анализ интенсивностей этих спектров указывает на неупорядоченное распределение атомов железа в матрице сплава. В металлах, характеризующихся большими атомными объемами, атомы железа, вероятно, могут занимать междоузельные положения. Определенную группу составляют металлы, в которых при ионной имплантации эффективно протекают процессы сегрегации внедряемого железа. Из диаграммы, [...]

    Смотреть »

  • Вероятность образования изолированных атомов

    По мере поступления атомов Ге из твердого раствора эти включения укрупняются. При этом нарушается когерентность связи, приводящей к превращению у – а, т.е. к выделению а – Ге. При ионной имплантации Ге в Си, как было показано выше, происходит постоянное разрушение микровключений а – Ре внедряющимися ионами железа, что и препятствует образованию а – Ре в ионно-имплантируемом слое. Предположение о возможности разрушения относительно крупных микровключений V-Ре вследствие ионно-индуцированного перемешивания атомов Ре с атомами Си подтверждается результатами исследований ионно-лучевого перемешивания в [...]

    Смотреть »

  •  
  • Сравнение относительной интенсивности одиночной линии

    Представлены электронные мёссбауэровские спектры образцов меди, имплантированных ионами 57Ге до различных доз. Видно, что в 1>-резонансных спектрах ионно-имплантированного Ге наряду с линией 1, соответствующей изолированным атомам Ге, присутствуют линии, соответствующие кластерам или димерам Ге (дублет 2) и когерентным микровключениям V – Ге (линия 3). Кроме указанных резонансных линий в мёссбауэровских спектрах ионно-имплантированных образцов выделяется дублет с квадрупольным расщеплением А = 0,80 мм • с-1и б= 0,38 мм -с»1, параметры которого близки к параметрам соединения ГеСи02 (дублет 4). Данное соединение, вероятно, [...]

    Смотреть »

  • Пленки меди

    Пленки меди предварительно создавались путем термического напыления на свежие сколы кристаллов поваренной соли в вакууме порядка 10″4Па. Плотность ионного тока в импульсе длительностью 10 мкс составляла 5 мА/см2, энергия ионов 50 кэВ, частота следования ионных импульсов 50 Гц. Ионы имплантировались при комнатной температуре с дозами 3 • 1015 – 6,5 • 1016 см»2. Согласно ПЭМ – измерениям, при ионной имплантации Ге в Си формируется однофазный кристаллический сплав типа пересыщенного твердого раствора железа в меди. Однако исследования медных пластинок методом ЭМС [...]

    Смотреть »

  • Ограничение на кинетику

    Ограничение на кинетику предотвращает рост фазовых включений относительно большие размеров, т.е. таких размеров, которые позволяют выявить и изучить включение электронно-микроскопическими методами. Однако результаты дополнительных мёссбауэровских исследований ряда ионно-имплантированных однофазных (по данным измерений методом ПЭМ) кристаллических и аморфных сплавов указывают на то, что при формировании сплавов несмешиваемых элементов в ряде случаев эффективно протекают процессы образования микро скоплений (микро агломератов, кластеров) имплантируемых атомов. Образование микро скоплений внедряемых атомов. В качестве примера можно отметить результаты исследований по имплантации ионов железа в медь. Система [...]

    Смотреть »

  •  
  • Образование микро скоплений внедряемых атомов

    В ряде систем отмечено образование пересыщенных твердых растворов во всем концентрационном интервале, реализуемом методом ионной имплантации. Лишь в нескольких случаях зафиксировано выпадение второй фазы, содержащей имплантированные атомы. Так, авторы сообщают о том, что при имплантации РЬ и AI при температуре, близкой к комнатной (около 313 К), они наблюдали распределение в алюминиевой матрице тонких выделений свинца. В обнаружено образование преципитатов серебра в случае имплантации – ионов серебра в тонкие (толщиной до 38 нм) поликристаллические пленки никеля при 300 К. При этом [...]

    Смотреть »

  • Образование относительно крупных микровключений

    Однако в бомбардируемой ионами при комнатной температуре металлической матрице в общем случае возможны процессы микро перемещений атомов как во время жизни энергетических пиков, например, по механизму диффузии в жидкой фазе, так и после остывания пиков (на затянутой стадии релаксационных процессов) по механизму радиационно-ускоренной диффузии. Рассмотрим, как развиваются данные процессы и какое влияние они оказывают на структуро – и фазообразование ионно-имплантированных сплавов. Очевидно, что в первую очередь их проявление следует ожидать в системах, элементы которых характеризуются сильной химической несовместимостью. На равновесной [...]

    Смотреть »

  • Фазовая микро сегрегация внедряемых элементов

    Тот факт, что при ионно-индуцированном структурообразовании и при скоростной закалке жидкого сплава формируются подобные метастабильные кристаллические структуры, является серьезным доказательством обоснованности концепции теплового пика, применяемой для объяснения структурообразования в ионно-имплантационной металлургии. В некоторых системах элементов, образующих интерметаллические соединения, ионная имплантация и, ионно-лучевое перемешивание также позволяют формировать достаточно высоколегированные, метастабильные трердые растворы. Однако в общем случае при рассмотрении структурообразования в таких системах нельзя исключить возможность образования фазовых включений или аморфных структур. Пределы неравновесной ионно-индуцированной растворимости в этих системах сильно зависят как [...]

    Смотреть »

  •  
  • Метастабильные твердые растворы различного состава

    Следует заметить, что предел достижимой метастабильной твердофазной растворимости в системе элементов А и В, определяемый кривой Т0а (хв), установлен для тех случаев ионно-индуцированного структурообразования, когда исключается возможность эффективной радиационно-ускоренной диффузии атомов. В противном случае структурообразование может развиваться по-иному, так как оно будет в большей степени зависеть от равновесных термодинамических свойств выбранной системы элементов. В разных эвтектических системах поведение кривой Т0 может быть различным. Выше был рассмотрен случай эвтектической системы, в которой кривые Г0 на фазовой диаграмме резко спадают до низких [...]

    Смотреть »

  • Концентрация – ионно-имплантированных атомов

    Если имплантация – ионов проводится при достаточно низкой температуре, когда эффективная диффузия атомов на большие расстояния исключена, то образование двухфазной структуры невозможно. Однако в таких условиях при релаксации остается термодинамически предпочтительным и кинетически возможным полиморфный переход системы из возбужденного состояния, реализующегося в зоне теплового пика, в твердую а – фазу. В результате при имплантации замораживается метастабильное состояние пересыщенного твердого раствора элемента В в матрице А. Кривая Т0а (хв) определяет термодинамический предел метастабильной твердофазной растворимости, достигаемой в условиях ионно-индуцированного структурообразования при [...]

    Смотреть »

  • Термодинамика

    На фазовой диаграмме элементов А и В кривые Т0а и Т$ определяют температуру, до которой следует переохладить жидкую фазу определенного состава, чтобы обеспечить кристаллизацию без перераспределения элементов между жидкой и твердой фазами. При более высоких температурах «без диффузионная» кристаллизация жидкой фазы такого состава, термодинамически невозможна. При имплантации ионов в зоне тепловых пиков происходит возбуждение системы смешиваемых атомов элементов А и В, т.е. система переходцт в состояние с высокой свободной энергией. При остывании пика система должна переходить в состояние с меньшей [...]

    Смотреть »

  •  
  • Границы концентрационных интервалов

    На диаграмме кривые аир определяют изменение свободной энергии С сплавов типа твердый раствор (на основе соответственно элемента А и В) в зависимости от концентрации элементов. Кривая Ь характеризует изменение свободной энергии переохлажденной жидкой фазы в зависимости от хв. Штрихпунктир наялинияа + 3 определяет свободную энергию двухфазного сплава. При прогнозировании ионно-индуцированного структурообразования при достаточно низких температурах в системе элементов А и В, в первую очередь, необходимо выделить на диаграмме свободной энергии три концентрационных интервала. Первые два из них соответствуют таким концентрациям [...]

    Смотреть »