Последние записи

  • Исследование элементного состава облученных ионами слоев

    Диффузно-уширенные рефлексы на картине микро дифракции электронов обнаружены в при исследовании утонченных монокристаллических образцов Мо, облученных при комнатной температуре ионами Мо с энергией 350 кэВ до дозы 8- 1014 см-2. Эти рефлексы накладываются на картину точечных рефлексов от исходной монокристаллической матрицы. По мнению авторов, появление диффузно-уширенных отражений на картине микро дифракции монокристалла обусловлено не аморфизацией, а тем, что ионная бомбардировка приводит к значительной локальной деформации в кристаллической решетке матрицы. Анализ микрофотографий облученной ионами фольги из Мо показал, что в ней [...]

    Смотреть »

  • Слой монокристаллической матрицы

    Внедрение примесных атомов в поверхностный слой монокристаллической матрицы и обусловливает формирование раз упорядоченной (по данным измерений методом ОР) структуры слоя. В результате электронно-микроскопического исследования (ПЭМ и микро дифракция) тонких (до 50 нм) текстурированных поликристаллических пленок хрома, подвергавшихся бомбардировке ионами хрома в условиях, аналогичных тем, в которых облучались монокристаллы хрома, установлено следующее. Облучение пленок хрома ионами хрома вплоть до доз порядка 1017 см-2 не приводит к каким-либо заметным изменениям как на электрономограммах, так и на микрофотографиях пленок. При дальнейшем повышении дозы [...]

    Смотреть »

  • Сохранение кристалличности

    Сохранение кристалличности. В подавляющем большинстве исследований по облучению при различных температурах чистых металлов ускоренными одноименными ионами в широком диапазоне доз 1014-1017 см»2 отмечено сохранение кристалличности в облучаемой матрице. При этом иногда происходит определенная перестройка в кристаллической микроструктуре, проявляющаяся в измельчении или, наоборот, в увеличении размеров зерен. Исследования с применением эффекта каналирования ионов анализирующего пучка показали, что в области пробега внедряемых ионов хрома Rp + 2 A Rp монокристаллическая структура Сг сохраняется даже при облучении с дозой 6 • 1016 см»2. [...]

    Смотреть »

  •  
  • Имплантация без легирования

    Чтобы исключить влияние эффектов, связанных с изменением химического состава, на структурообразование, как правило, проводится облучение кристаллических матриц чистых металлов или их сплавов (типа равновесных твердых растворов) одноименными ионами или ионами инертных газов. Следует, однако, отметить, что в таких исследованиях определенное влияние могут оказывать микропримеси (N, О, С), которые либо содержатся в объеме обрабатываемой матрицы, либо внедряются в ее поверхностные слои вследствие ионно-стимулированных реакций между бомбардируемой поверхностью и молекулами остаточного газа в камере имплантации. Атомы инертных газов, внедряемые в объем матрицы, [...]

    Смотреть »

  • Структуро- и фазообразование ионно-имплантированных сплавов

    Имплантация без легирования. Для выявления влияния физико-химических параметров имплантируемых ионов на структурообразование метастабильных сплавов вначале необходимо выяснить вопрос о возможных структурных изменениях в металлических матрицах, которые инициируются процессами, сопровождающими внедрение ускоренного иона в обрабатываемую матрицу. Показано, что внедрение ускоренного иона (легирующего атома) обусловливает развитие каскада столкновений в некоторой микро области кристаллической решетки матрицы. Структура ионно-легируемого сплава формируется вследствие релаксационных процессов, развивающихся после завершения столкновительной стадии. Характер этих процессов в конкретной матрице зависит от физико-химических свойств внедренного иона, от количества этих [...]

    Смотреть »

  • Концентрация легирующих атомов и профиль их распределения

    Концентрация легирующих атомов и профиль их распределения в матрице зависят от режима имплантации (толщины исходной пленки, типа и интенсивности лазерного воздействия, условий облучения). Максимальная концентрация легирующих атомов может достигать нескольких десятков процентов. Рельеф поверхностного сплава зависит от интенсивности воздействия и может существенным образом изменяться. Несмотря на кажущуюся простоту метода лазерной -имплантации, прогноз профиля распределения легирующего элемента представляет сложную задачу. В общем случае внедрение легирующего элемента протекает в сильнонеравновесных условиях при интенсивном испарении (плазмообразовании) поверхностного слоя системы в результате взаимодействия жидкой [...]

    Смотреть »

  •  
  • Метод лазерного легирования

    В авторы провели расчет профилей концентрации с учетом возможного захвата лантана в оксиды. При этом было получено удовлетворительное согласие расчетных и экспериментальных данных. Таким образом, вероятно, существует несколько возможных причин, приводящих к перераспределению внедряемых атомов при лазерном облучении, что, в известной степени, затрудняет разработку единой математической модели, учитывающей все возможные эффекты и позволяющей рассчитать профили распределения с учетом параметров сплавляемых элементов и условий облучения. Метод лазерного легирования достаточно прост в реализации. Он основан на плавлении под действием лазерного излучения и [...]

    Смотреть »

  • Смещение максимумов профилей распределения внедренных атомов

    В настоящее время пока трудно однозначно говорить о возможности неравновесной сегрегации при лазерной имплантации металлических материалов. Так, в исследовано перераспределение ионно имплантированного РЬ в А1. Лазерное облучение производилось с теми же параметрами, что и в при исследовании термодиффузии Си в А1. Однако авторы обнаружили принципиально иной характер перераспределения РЬ в А1, чем перераспределение Си в А1. Предположив наличие неравновесной сегрегации с коэффициентом, равным 0,24, авторы получили удовлетворительное совпадение расчетных и экспериментально измеренных значений. Смещение максимумов профилей распределения внедренных атомов к [...]

    Смотреть »

  • Неравновесный характер процесса сегрегации

    Однако в ряде случаев, связанных, как правило, с образованием сплавов из несмешиваемых по диаграммам состояния в жидкой фазе элементов, получающийся в экспериментах концентрационный профиль распределения внедренных атомов не удается удовлетворительно описать в соответствии с диффузионным механизмом внедрения за время существования жидкой фазы. Для примера представлены результаты расчетов распределения атомов Sn по следующей формуле. Выражение получено в предположении о диффузии Sn в Мо из ограниченного источника – из пленки толщиной 20 нм. Кривые 2 и 3 различаются значением использованного параметра, равного [...]

    Смотреть »

  •  
  • Применение прозрачного покрытия при лазерной имплантации

    Применение прозрачного покрытия при лазерной имплантации систем таких элементов, так же как и в случаях, рассмотренных ранее, позволяет существенно повысить эффективность процесса внедрения. Так, при обычном облучении системы В1 (1000 нм)-Мо различие теплофизических свойств В1 и Мо приводит к тому, что пленка висмута испаряется раньше, чем происходит плавление молибдена при излучениях с плотностями энергии вплоть до 10 Дж • см» 2. Когда используется прозрачное покрытие (жидкое стекло), наблюдается внедрение Bi в Мо и потери Bi уменьшаются. Сегрегация. Выше было показано, [...]

    Смотреть »

  • Повышенное содержание кислорода

    Эксперименты по наносекундной лазерной имплантации Sn в Мо, проведенные путем облучения на воздухе системы Sn (180 нм) – Мо импульсом длительностью 35 нс при плотности энергии 15 Дж • см»2, показали, что, несмотря на сильное различие теплофизических свойств, происходит внедрение Sn в Мо. Повышенное содержание кислорода в поверхностном слое толщиной 20 нм облученного образца и различие в форме оже-пиков Sn, измеренных в этом и более глубоких слоях, указывают на окисление поверхностного слоя. Максимальная концентрация атомов Sn в Мо достигает 30%, [...]

    Смотреть »

  • Облучение лазерными импульсами с плотностями энергии

    Атомы РЬ внедряются в АЬ матрицу на глубину, сравнимую с глубиной диффузии примесей в жидком алюминии (100- 250 нм) за характерные времена существования расплава. Облучение лазерными импульсами с плотностями энергии выше 4 Дж/см2 приводит к увеличению глубины внедрения атомов РЬ до 1,2 мкм, что авторы связывают с развитием конвективных процессов тепло- и массопереноса в расплаве. Представленные результаты показывают, что несмотря на ограничения термодинамического характера (не смешиваемость элементов в жидкой фазе на равновесной диаграмме состояния) при наносекундной лазерной имплантации можно реализовать [...]

    Смотреть »

  •  
  • Уменьшение концентрации внедренных атомов

    Уменьшение концентрации внедренных атомов Бп в Сг с глубиной указывает на диффузионный механизм переноса. Наблюдаемое проникновение атомов Бп на глубину порядка 70 нм при плотности энергии облучения 4 Дж/см2 за время существования расплава (около 50 нс) возможно лишь вследствие диффузии атомов в жидкой фазе при значениях коэффициента диффузии 10″ 3 см2 • с-1. При облучении через прозрачное покрытие, ограничивающее область разлета пара от облучаемой поверхности, удается существенно снизить потери Бп. Так, если в случае обычного облучения системы Бп (40 нм) [...]

    Смотреть »

  • Значительное увеличение интенсивности воздействия

    При определенной толщине пленки (100 нм) увеличение интенсивности облучения приводит к увеличению глубины внедрения и к некоторому уменьшению максимальной концентрации внедренных атомов. Значительное увеличение интенсивности воздействия (до 12 Дж • см-2) снижает эффективность внедрения. Плавление поверхностного слоя Сг при внедрении Бп подтверждается и результатами расчета тепловых полей в системе Бп-Сг при лазерном облучении. Приведены результаты – расчета тепловых полей в системе Бп (100 нм) – Сг. При воздействии на нее лазерного импульса прямоугольной формы с плотностью мощности 9 • 107 [...]

    Смотреть »

  • Сравнение концентрационных профилей

    Термодинамические «ограничения». Лазерная имплантация в системах, состоящих из элементов, не смешиваемых в равновесных условиях в жидкой фазе, требует специального рассмотрения. В этих системах силы химической природы могут препятствовать диффузии атомов из пленки в матрицу и перемешиванию этих элементов на атомном уровне в расплаве. Особенности внедрения и массопереноса в случае возможных ограничений термодинамического характера проследим на примере систем Бп-Сг, РЬ-А1. Эксперименты по лазерной имплантации Бп в Сг включали как обычное наносекундное лазерное (А. = 1,06 мкм) облучение систем пленки Бп-Сг на [...]

    Смотреть »

  •  
  • Плавление пленки и кремниевой матрицы

    Наиболее изученный случай лазерной имплантации в системах элементов с низкотемпературными эвтектиками – лазерная имплантация в системах пленка металла – кремний. Исследования этих систем показывают, что внедрение атомов металла в кремний начинается при таких интенсивностях облучения, когда температура на границе металл – кремний достигает значения, соответствующего образованию наиболее легкоплавкой эвтектики. При этом отмечается, что ни ‘результаты расчета, ни микроскопические исследования топографии облученной поверхности не указывают на плавление пленки и кремниевой матрицы. Толщина образующегося соединения растет, пока температура на границе превышает температуру [...]

    Смотреть »

  • Лазерно-стимулированные твердофазные реакции

    Лазерно-стимулированные твердофазные реакции. Рассмотрим случай лазерной имплантации олова в сталь марки 20X13. Известно, что олово смешивается с железом в жидкой фазе при концентрации атомов Бп вплоть до 30%. При комнатной температуре оно, практически не растворяясь в железе, образует с железом промежуточные фазы РеБп,РеБп2. Наносекундное лазерное облучение с параметрами X = 1,06 мкм и (и = 35 нс системы 119Бп (100 нм) – сталь проводилось при Р = 6,12 и 19 Дж-см»2. При облучении с плотностью энергии 12 и 19 Дж [...]

    Смотреть »

  • Процесс плавления матрицы

    Однако при облучении системы Fe-Cu отчетливо проявляются те процессы, которые, наряду с процессами импульсного плавления и перемешивания- расплава, протекают более или менее интенсивно во всех случаях наносекундной лазерной имплантации. Данный результат демонстрирует влияние теплового контакта, паровой фазы и остаточной атмосферы на процессы лазерной имплантации. Следует отметить, что в случае меньших скоростей нагрева системы Ре-Си, реализуемых при миллисекундном лазерном облучении, удается получить легированный, содержащий до 17% атомов Ре метастабильный сплав Ре и Си. На основании рассмотренных примеров можно сделать вывод о [...]

    Смотреть »

  •  
  • Влияние теплового контакта

    Представлены результаты оже-исследований. Видно, что в случае облучения на воздухе в Си внедряется существенно больше атомов Fe, чем в случае облучения в вакууме. Мёссбауровские исследования показали, что большинство внедренных атомов Fe связано с атомами О в соединение, содержащее атомы Fe, Cu, О. Для объяснения экспериментальных результатов лазерной имплантации Fe в Си следует предположить, что при сверхвысоких скоростях нагрева в формировании температурых полей в системе Fe-Cu определяющую роль играет высокое тепловое сопротивление контакта пленка -матрица, которое обусловливает развитие процессов испарения пленки [...]

    Смотреть »

  • Эксперименты по наносекундной лазерной имплантации

    Данные элементы смешиваются в жидкой фазе и характеризуются относительно близкими теплофизическими свойствами. Подготовка системы пленка железа – медная матрица начиналась с химической очистки поверхности медной матрицы. Затем термическим способом в вакууме с давлением 5 • 10 » 4 Па напылялась пленка железа. Эксперименты по наносекундной лазерной имплантации Fee Cu включали облучение системы Fe (150 нм) Cu лазерными импульсами (к = 1,06 мкм) длительностью 30 нс с плотностью энергии в диапазоне 2 – 20 Дж • см» 2 на воздухе и [...]

    Смотреть »

  • Тепловое сопротивление контакта пленка – матрица

    Был получен достаточно однородный поверхностный сплав толщиной порядка 240 нм, с атомной концентрацией хрома 18%. Исследования методом каналирования легких ионов показали, что в результате лазерного воздействия происходит плавление гетеро структуры и приповерхностного слоя монокристаллической матрицы, после чего происходит эпитаксиальная кристаллизация сплава от границы раздела с монокристаллической медной матрицей. Тепловое сопротивление контакта пленка – матрица. При лазерном облучении многослойных структур в реализации внедрения могут возникнуть определенные трудности из-за повышения теплового сопротивления на одной или нескольких границах раздела такой структуры. О влиянии [...]

    Смотреть »

  •  
  • Формирование однородного распределения

    В случае малой концентрации примеси при расчете профиля распределения с учетом термодиффузии третьим членом в выражении можно пренебречь. Наилучшее совпадение Расчетного профиля с экспериментальным получается при значении £> = Юсм2 • с»1 и 5Т = 2,5 • 10 – 2 К » К Предполагается также, что время существования расплава равно 29 нс, дТ/дх = = Ю7 К • см»1, а средняя температура 1263 К. Сравнение кривых 3 и 4 показывает, что влияние термодиффузии на формирование профиля невелико и не может [...]

    Смотреть »

  • Искажение топографии поверхности после лазерной обработки

    Эффект Соре. Вывод о возможности развития диффузионных процессов, происходящих в расплаве, содержится в работах, посвященных лазерному наносекундному воздействию на ионно-имплантированные металлические материалы. В этих работах проведено подробное сравнение экспериментальных данных о динамике изменения профиля распределения ионно-имплантированных атомов после лазерного воздействия с результатами расчета, подобного обсуждавшемуся выше. Вместе с тем в ряде исследований для некоторых пар элементов было установлено, что описание динамики изменения профиля распределения с привлечением только механизма обычной диффузии в жидкой фазе затруднительно. Так, при лазерном наносекундном облучении алюминия, [...]

    Смотреть »

  • Диффузионные концентрационные профили распределения примеси

    Диффузионные концентрационные профили распределения примеси формируются в случае облучения пленки Сг толщиной 135 нм в диапазоне плотностей энергии 1-4,5 Дж • см-2. Воздействие более интенсивных импульсов приводит к образованию однородного по глубине профиля распределения Сг. Так, при облучении импульсом с = 7,3 Дж • см»2 хром проникает на глубину более 2,3 мкм, а атомная концентрация его при этом составляет примерно 10%. Концентрационные профили распределения Сг в А1 достаточно хорошо описываются диффузионным уравнением переноса примеси в расплавленном алюминии с коэффициентом диффузии [...]

    Смотреть »

  •  
  • Облучение алюминия, покрытого более толстой пленкой хрома

    Остатков пленки Сг на А1 в не обнаружено, но на поверхности алюминия выделены богатые хромом участки – границы зерен и включения оксидов хрома. Расчет температурных полей в системе пленка хрома – алюминий при плотностях энергии в импульсе порядка 0,8 Дж • см»2 по модели показывает, что пленка хрома остается нерасплавленной за время лазерного импульса при плавлении А1. Авторы предполагают, что плавление А1 может сопровождаться его частичным испарением и образующийся пар может сбросить нерасплавленную пленку Сг. Исследования распределения Сг в А1 [...]

    Смотреть »

  • Диффузия и конвективное перемешивание в расплаве

    Важным параметром, определяющим динамику процесса внедрения, является время существования расплавленного слоя матрицы. Для определения этого параметра в большинстве случаев численными методами решается уравнение теплопроводности в многослойной системе с заданной определенным образом функцией теплового источника. Необходимо отметить, что ряд важных величин, входящих в уравнение (температура поверхности в условиях интенсивного испарения, значение коэффициента отражения для жидкой фазы гж ф в условиях возможной экранировки поверхности образующимся паром, тепловое сопротивление контакта пленка – матрица), можно определить только приблизительно, в силу чего результаты решения такой [...]

    Смотреть »

  • Концентрационный профиль распределения атомов

    Измерения методом ОР системы N1 (50 нм) – Аи (100 нм) – N1 после облучения показали, что при небольшой интенсивности облучения верхняя пленка никеля полностью испаряется без каких-либо заметных изменений в глубжележащих слоях системы. При большей интенсивности воздействия 4,1 Дж • см происходит частичная потеря Аи и нарушение плоской формы пленки с образованием глобул. При этом наблюдается перемешивание атомов обеих пленок, а внедрение атомов Аи в никелевую матрицу отсутствует. Сравнение представленных результатов позволяет заключить, что облучение через прозрачное покрытие дает [...]

    Смотреть »

  •  
  • Пороговое значение плотности энергии

    В проведена попытка выявления механизмов лазерной имплантации на основе изучения акустооптических сигналов, возникающих в матрице при воздействии лазерных импульсов. Лазерными импульсами с ги = 22 не и А. = 1,06 мкм облучались массивные образцы золота и системы Аи (100 нм) – № (на воздухе и через слой воды) и № (50 нм) – Аи (100 нм) – № (на воздухе). Результат воздействия контролировался методом ОР. Представлены полученные в зависимости, указывающие на то, что внедрение Аи в никелевую матрицу при облучении [...]

    Смотреть »

  • Исследование топографии поверхности образца

    Представлены энергетические спектры ОР ионов гелия с энергией 1 МэВ при угле рассеяния 8 = 160°, измеренные для системы Аи (100 нм) – № до и после лазерного воздействия длительностью 22 нс на воздухе при Р = 5 Дж • см-2 и X = = 1,06 мкм. Концентрационный профиль Аи по глубине, рассчитанный по спектру 2. Сравнение спектров 1 и 2 показывает, что в никель внедряется около 20% атомов золота, первоначально содержащихся в пленке. Варьированием интенсивности лазерного излучения и толщины [...]

    Смотреть »

  • Плавление пленки и матрицы

    На основе анализа таких экспериментальных результатов попытаемся: 1) проверить основные положения упрощенной модели лазерной имплантации, включающей разогрев вещества, его плавление и перемешивание в расплаве; 2) выделить особенности лазерного микрометаллургического процесса (сверхбыстрый нагрев неоднородной системы пленка – матрица, влияние теплового контакта между пленкой и матрицей, влияние начального коэффициента отражения лазерного излучения; а также влияние прозрачного покрытия на процесс имплантации); 3) выяснить, существует ли в условиях сплавления систем с упомянутыми выше свойствами влияние диаграммы состояния смешиваемых элементов на процессы внедрения и массопереноса. [...]

    Смотреть »

  •  
  • Внедрение и массоперенос в зоне лазерного воздействия

    Когда поглощение в движущемся паре значительно, такой подход невозможен. При температурах пара Г ~ 104 К основными процессами поглощения являются фотоэлектрическое поглощение возбужденными атомами и тормозное поглощение электронами в поле ионов и нейтральных атомов. Каждому типу поглощения соответствует свой коэффициент. Суммарный коэффициент поглощения за счет действия первых двух механизмов может быть определен из выражения Таким образом, мы рассмотрели различные физические процессы, происходящие при взаимодействии коротких лазерных импульсов с сильно поглощающей средой (металлом), и степень влияния которых на имплантацию может меняться [...]

    Смотреть »

  • Достигаемые значения обратного потока частиц

    Реально достигаемые значения обратного потока частиц, таким образом, лежат внутри данного интервала. Из этого можно заключить, что данный эффект нужно учитывать при объяснении результатов по лазерной имплантации металлов. При плотности потока излучения q й д2 на процесс взаимодействия существенным образом влияет газодинамическое движение испаренного вещества. Оно оказывает значительное давление на облучаемый материал (более 102 МПа), что может привести к увеличению точки кипения материала до значений выше обычной температуры испарения и возникновению конвективных потоков в расплавленном материале. Испаренное вещество может поглощать [...]

    Смотреть »

  • Движения фазовой границы и температуры поверхности

    Видно, что в некотором интервале значений д температура поверхности резко возрастает с ростом д. Это связано с тем, что затраты на испарение не успевают поглощать подводимую энергию, поверхность нагревается, и возрастает доля энергии, расходуемая на увеличение внутренней энергии разлетающегося пара. Ясно, что в этом случае скорость фронта испарения уже не пропорциональна д. Характерные значения д2 > ограничивающие область применимости теплового механизма взаимодействия, лежат, а и расчетов на базе зависимостей в диапазоне 109-Ю10 Вт-см»2. Такие значения д2 удовлетворительно согласуются с экспериментальными [...]

    Смотреть »

  •  
  • Роль теплопроводности в процессе перераспределения энергии

    Видно, что с ростом во время достижения температуры, соответствующей началу интенсивного испарения, уменьшается. При этом скорость движения фронта испарения и температура пара возрастают. Параллельно с этим уменьшается толщина слоя материала, нагреваемого за счет теплопроводности. Однако сделать вывод о том, что глубина расплавленного слоя за счет теплопроводности будет уменьшаться пропорционально д, нельзя, поскольку при этом необходимо учитывать тепло, передаваемое от пара твердому материалу. Таким образом, ясно, что существенно изменяется баланс распределения подводимой к облучаемому материалу энергии. Все большую роль в этом [...]

    Смотреть »

  • Импульсный нагрев и плавление материала

    Скорости нагрева вещества за счет поглощения лазерного излучения и его охлаждения за счет отвода теплоты в глубь материала – Д Т/ги можно считать примерно равными. Для д0 = 108 Вт/см2, £и = 10 не их значения для большинства металлических материалов 101О-1011 К/с. При плотности потока поглощенного излучения наблюдается только плавление металла, поглотившего излучение. Для данного режима взаимодействия, используя одномерное уравнение для теплового потока. Учитывая, что т = 4 и Ш2, | = х/й и 0 = 2 к \ДлТ/(а»д^), пользуясь [...]

    Смотреть »

  • Перспективность использования электронных пучков

    Перспективность использования электронных пучков определяется тем, что процессы введения энергии для данного случая изучены достаточно подробно и зависят в основном от соотношения атомного номера и атомной массы облучаемого вещества. Широкое применение электронных пучков в технологических циклах пока сдерживается высокими требованиями к их однородности. Создание электронных пучков с высокой однородностью является сложной проблемой, решение которой позволит существенно расширить области применения Электронных ускорителей для модифицирования поверхностных слоев. 2.2. Физические процессы, протекающие при взаимодействии коротких импульсов лазерного излучения с системой пленка – матрица [...]

    Смотреть »

  •  
  • Длительность импульсов

    Важное для практики различие состоит также в том, что при облучении электронным пучком обычно отражается только 5-10% энергии пучка, тогда как отражение лазерного пучка зависит от длины волны излучения и для типичных значений А и оптических характеристик металлов весьма значительно (50-90%). Работа посвящена разработке ускорителей сильноточных электронных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования (100 Гц), рассчитанных на применение в области поверхностного нагрева металлов с целью создания метастабильных поверхностных сплавов. Специально разработанный источник электронов при ускоряющем напряжении в диапазоне 10-50 [...]

    Смотреть »

  • Импульсные электронные пучки

    Электронные пучки использовались для отжига дефектов в имплантатированных полупроводниках и для образования местабильных металлических сплавов, однако по сравнению с лазерной обработкой количество работ, выполненных в данной области, существенно меньше и связано это, в первую очередь, с трудностями в получении электронных пучков с нужными параметрами. При облучении электронами, как и в случае лазерного облучения, энергия электронов практически мгновенно передается решетке в виде теплоты. В начальный момент времени профиль температуры повторяет профиль потерь энергии электронов в образце. При электронном облучении (при нормальном [...]

    Смотреть »

  • Характеристики лазера

    Когда выходная энергия моноимпульсного лазера достаточно высока, можно не использовать фокусировку излучения. Высокую однородность облучения в этом случае можно достичь, применяя различные растровые системы. Характеристики лазера – длина волны излучения, выходная энергия, диаметр пучка, модовый состав излучения, длительность импульса и частота их повторения определяют выбор конкретной лазерной системы для проведения лазерной имплантации. Представлены типичные параметры лазерных систем, используемых для лазерной имплантации металлических материалов. Каждая лазерная система, обладая различными параметрами излучения, позволяет проводить имплантацию в поверхностные слои металлических материалов: при этом [...]

    Смотреть »

  •  
  • Энергия лазерного излучения

    Остывание материала сопровождается движением фронта отвердевания, с характерными скоростями 10 м • с»1, от границы раздела жидкость – твердого тела к поверхности. Это движение и «замораживает» концентрационное распределение легирующих атомов в поверхностном слое металлической матрицы. Подробному рассмотрению возможных процессов фазовой сегрегации, структурных изменений в материале матрицы в условиях сверхбыстрого нагрева и закалки при различных концентрациях легирующих атомов. Необходимо отметить, что представленная здесь упрощенная модель не учитывает такие эффекты, возникающие при лазерном воздействии, как испарение, поглощение лазерного излучения в паре, плазмообразование, [...]

    Смотреть »