Последние записи

  • Облучение системы пленка-матрица

    Облучение системы пленка-матрица может производиться, как на воздухе, так и в вакууме – это зависит от степени влияния остаточной атмосферы на тепло – и массоперенос в материале при лазерном облучении. Для повышения эффективности лазерной имплантации металлических материалов облучение можно производить через прозрачное для лазерного излучения покрытие (вода, жидкое стекло и др.). Процесс лазерной имплантации зависит от плотности энергии лазерного излучения, длины волны излучения, длительности импульса, толщины пленки легирующего материала, термодинамических свойств материалов пленки и матрицы. Как будет показано далее, многообразие [...]

    Смотреть »

  • Способы лазерной имплантации. Способы лазерной имплантации

    Лазерная имплантация металлических материалов, имеющая своей целью улучшение механических и физико-химический свойств поверхностных слоев, в настоящее время реализуется в основном в двух разновидностях. В первой из них лазерным излучением воздействуют на систему пленка легирующего вещества матрица. Во второй в расплавленный слой материала матрицы, инициируемый поглощением излучения, как правило, киловаттного С02-лазера, инжектируются мелкие частицы легирующего материала. Технологический процесс лазерной имплантации металлических материалов по первому принципу .включает в себя несколько стадий. Пленка диффундирующего (легирующего) материала наносится на поверхность матрицы. Нанесение пленки можно [...]

    Смотреть »

  • Ионная имплантация при комнатной, и более низких температурах

    Ионная имплантация при комнатной, и более низких температурах в характерном диапазоне энергий 10-100 кэВ позволяет проводить легирование металлических материалов любыми атомами (т.е. формировать любые сплавы) на глубину пробега иона легирующего вещества, которая, как правило, не превышает 0,1 мкм. Глубина легирования может быть увеличена в случае имплантации ионов при повышенных температурах за счет эффектов радиационно-ускоренной диффузии. Однако структура создаваемого таким образом сплава может оказаться близкой к равновесной. Максимально достижимая концентрация вводимых ионным пучком легирующих атомов, как правило, не превышает 30% (ограничение [...]

    Смотреть »

  •  
  • Процессы отвердевания расплавленной микро области пика

    Рассматривая механизмы структурообразования при ионной имплантации, следует учитывать основные характеристики каскадов столкновений, инициируемых внедряемыми ионами. В большинстве случаев ионной имплантации металлических материалов (средняя энергия и большая масса ионов) образуются достаточно большие по объему, плотные высокоэнергетические каскады – тепловые пики. Плотность энерговклада в таких пиках (более 1 эВ/атом) может существенно превышать характерные пороговые значения таких процессов, как плавление и испарение. Эффект образования тепловых пиков является основополагающим в другой модели структурообразования ионно-имплантированных сплавов – модели быстрого охлаждения (закалки) тепловых пиков. По этой [...]

    Смотреть »

  • Взаимодействие ускоренного иона с металлической матрицей

    Этот факт является основополагающим в одной из моделей структурообразования, ионно-имплантированных сплавов модели накопления и стабилизации радиационных повреждений. Согласно данной модели, внедрение – ионов вызывает в матрице переход из одного структурного состояния в другое путем твердофазных превращений. Движущей силой такого перехода может быть высокий уровень механических напряжений, возникающих в поврежденной бомбардировкой матрице. Влияние конкретного типа ионов на развитие структурных превращений зависит от характера его взаимодействия с дефектной микроструктурой, т.е. от того, способствует (и в такой степени) или нет присутствие в матрице [...]

    Смотреть »

  • Эффективность процесса ионного перемешивания

    Эффективность процесса ионного перемешивания и сама возможность его реализации в конкретной системе элементов зависят от тех физических и термохимических свойств элементов. Эта эффективность будет определять время и дозу ионного облучения, необходимые для осуществления заметного перемешивания, т.е. для создания сплава. В зависимости от указанных параметров необходимая доза ионного облучения может изменяться от 1015 до 1017 см-2. При ионном облучении пленки легирующего элемента, нанесенной на матрицу, сплав образуется на границе между пленкой и матрицей. Концентрация легирующего элемента в этом слое, как правило, [...]

    Смотреть »

  •  
  • Принципиальные схемы методов

    Для экспериментальных исследований структурообразования этими методами либо проводят имплантацию ионов типа А в тонкие (не более 100 нм) пленки элемента В, нанесенные на сколы кристаллов ЫаС1, либо относительно массивные (толщиной до 10 мкм) ионно-имплантированные образцы утончают с обратной стороны методом электролитического струйного и ионного травления. Для создания местабильных сплавов методом ионного перемешивания применяют в основном две методики. В одной из них на поверхность обрабатываемой матрицы элемента В наносят пленку толщиной в несколько десятков нанометров легирующего элемента А и облучают пучком [...]

    Смотреть »

  • Создание поверхностных сплавов любого состава

    В результате формируется профиль распределения N с двумя максимумами – на поверхности и в глубине матрицы Ре. Создание поверхностных сплавов любого состава. Необходимо отметить, что метод ионной имплантации легирующих атомов в металлические матрицы обладает существенным недостатком. Он не позволяет получить концентрацию легирующих атомов выше определенного значения, не превышающего, как правило, 30%. Этот предел может показаться относительно высоким, если рассматривать некоторые технологические задачи, в частности задачи полупроводниковой технологии. Однако с точки зрения, ионно-имплантационной металлургии, где необходимо реализовывать сильные изменения химического и [...]

    Смотреть »

  • Распределения имплантируемых атомов

    В проведена попытка феноменологического описания процессов радиационно-индуцированной сегрегации при ионной имплантации. Если модель, учитывает только миграцию атомов, подчиняющуюся обычному закону Фика, то модель, учитывает отдельно диффузию имплантируемых атомов по закону Фика (например, перемешивание в объеме каскада) и миграцию этих атомов, которая обусловлена перемещением радиационных дефектов (радиационно-индуцированная сегрегация). Эффекты распыления поверхности и расширения решетки вследствие накопления междоузельных атомов. Для нахождения профилей распределения имплантируемых атомов проводилось решение численными методами следующего уравнения. Достаточно хорошее согласие измеренных и рассчитанных профилей распределения атомов азота наблюдается [...]

    Смотреть »

  •  
  • Динамика столкновительных процессов

    Характерным примером могут служить результаты по ионной имплантации БЬ и Те в Со. Оказывается, при имплантации близких по массе ионов сурьмы и теллура (г5ь= 51, гТе = 52) в Со характер концентрационных профилей распределения этих элементов сильно различается. Различия заключаются как в форме профилей имплантируемых атомов, так и в количестве этих атомов, сохраняющихся в матрице в режиме насыщения. Если при имплантации ионов БЬ в матрице Со в режиме насыщения сохраняется до 4 • 10*6 атом • см»2 (насыщение достигается при [...]

    Смотреть »

  • Состояние двухслойной системы элементов

    Действительно, свинец характеризуется меньшей поверхностной энергией (0,56 Дж • см»2), чем никель (2,28 Дж • см»2), а атомы свинца имеют больший атомный радиус (0,349 нм), чем атомы никеля (0,249 нм). При нанесении перед облучением пленки С на верхний слой N1 характер ионно-стимулированного перемещения атомов РЬ не изменяется, однако скорость сегрегации этих атомов под действием облучения заметно уменьшается. Состояние двухслойной системы элементов № и РЬ достаточно стабильно при комнатной температуре. Выдерживание данной системы при комнатной температуре в течение двух лет не [...]

    Смотреть »

  • Влияние термодинамических свойств элементов на форму профиля

    В исследованы процессы миграции атомов при ионно-стимулированном перемешивании двухслойной системы из пленок № и РЬ толщиной около 40 нм. Перемешивание проводили пучком ионов Кг с энергией 300 кэВ при комнатной температуре. Данные исследования показали, что характер процессов переноса атомов № и РЬ зависит от последовательности расположения слоев и химического состава поверхности верхней пленки. При ионном облучении пленки РЬ, нанесенной на пленку №, миграции по глубине атомов № и РЬ не наблюдается. Однако если на поверхность пленки свинца нанести тонкий слой [...]

    Смотреть »

  •  
  • Процессы радиационно-индуцированной сегрегации

    Поверхность матрицы является эффективным стоком для подвижных дефектов, образующихся в матрице при имплантации – ионов. Если ионно-имплантируемые атомы образуют с дефектами подвижные комплексы или если скорость диффузии этих атомов по вакансионному или междоузельному механизму отличается от соответствующей скорости диффузии атомов матрицы (обратный эффект Киркендала), то это может приводить к избирательному накоплению атомов одного элемента ионно-имплантируемого сплава у поверхности матрицы, т.е. к радиационно-индуцированной сегрегации. Процессы радиационно-индуцированной сегрегации, как и процессы радиационно-ускоренной диффузии, достаточно эффективно развиваются в том случае, если неравновесные радиационные [...]

    Смотреть »

  • Сегрегация к поверхности

    Приведенные данные показывают, что имеется хорошее согласие измеренных профилей распределения углерода с кривыми, рассчитанными по уравнению диффузии. Однако совпадение наблюдается при несколько различающихся значениях коэффициентов диффузии. Кроме того, измеренного профиля распределения углерода максимум концентрации расположен глубже расчетного значения. Данный факт указывает на то, что кроме диффузии по закону Фика развиваются и другие процессы, влияющие на перенос атомов С при ионной имплантации Ti в сталь. Следует также отметить и некоторое несоответствие рассчитанных и экспериментально измеренных профилей распределения Ti, приведенных и более [...]

    Смотреть »

  • Ионно-стимулированная миграция атомов и формирование профиля

    Предполагалось, что развитие всех диффузионных процессов подчиняется только закону Фика. При описании процессов накопления имплантируемых атомов предполагалось, что на любой стадии имплантации большой дозы распределение по глубине новой малой порции внедренных ионов описывается гауссовой кривой с заданными параметрами Яр и Др. Значения параметров остальных физических процессов (коэффициенты диффузии и распыления) находились сопоставлением профилей, рассчитанных при различных значениях этих параметров, с экспериментально измеренными профилями распределения Ti и С. Авторы провели анализ большой серии экспериментальных результатов по имплантации ионов Ti в различных [...]

    Смотреть »

  •  
  • Интенсивное протекание данных процессов

    Интенсивное протекание данных процессов может приводить как к эффективному внедрению примесных атомое с поверхности в глубь матрицы, так и к перераспределению по глубине в матрице самих ионно-имплантируемых атомов. В предпринята попытка объяснить ионно-стимулированное вакуумное науглероживание хрома столкновительными процессами, обусловливающими внедрение и перенос атомов углерода в глубину матрицы хрома. Однако расчеты показали, что столкновительный механизм может обеспечить внедрение не более 20% атомов углерода от того количества, которое установлено экспериментально. Ионно-стимулированная миграция атомов и формирование профиля. Влияние ионно-стимулированных диффузионных процессов миграции атомов [...]

    Смотреть »

  • Имплантация постоянным пучком

    При этом время, в течение которого поверхность подвергается бомбардировке ионами, на три порядка меньше времени бомбардировки в случае использования постоянных микро амперных ионных пучков. При импульсной имплантации матрица загрязняется в основном, вероятно, вследствие ионно-стимулированного внедрения атомов реактивного газа, адсорбирующихся на поверхности между ионными импульсами. Избирательное внедрение кислорода, наблюдаемое при импульсном облучении, может объясняться тем, что хром обладает особыми геттерными свойствами по отношению к кислороду. Кроме этого, при сравнении результатов, полученных в необходимо учитывать различи в условиях, при которых проводилось ионное [...]

    Смотреть »

  • Особенности изменения элементного состава образцов

    Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС) образцов Сг, облученных импульсными миллиамперными пучками ионов Сг в вакууме 5 10″» Па, подтвердили, что атомы О внедряются в Сг эффективнее и на большую глубину (до 30 нм), чем атомы С. На поверхности облученной матрицы практически все атомы Сг химически связаны в атомами О. В более глубоких слоях хром только частично окислен. Признаков образования карбидов хрома не обнаружено. При импульсной имплантации в Сг ионов хрома до Дозы 2 • 1017 см-2 при давлении остаточных [...]

    Смотреть »

  •  
  • Исследования методов ОР ионов гелия с энергией

    С другой стороны, в заметном увеличении амплитуды сигнала ионов Не, рассеянных на атомах С. Имплантация ионов Сг в Сг при меньшем давлении остаточных газов не приводит к образованию поверхностной пленки, однако наблюдается насыщение поверхностных слоев матрицы атомами легких элементов, в основном кислородом. Из приведенных спектров ОР видно, что на поверхности имплантированного Сг действительно не образуется слой загрязнений, так как отсутствует сдвиг спектра 2 в область меньших энергий. Тем не менее поверхностный слой обогащен легким элементом, что следует из уменьшения выхода [...]

    Смотреть »

  • Процессы науглероживания

    При имплантации ионов титана в железосодержащие матрицы в атмосфере реактивного газа в поверхностном слое матрицы наряду с С активно адсорбируется О, но сколько-нибудь заметного внедрения атомов О в глубину матрицы не происходит. Согласно модели вакуумной карбидизации, это обусловлено неустойчивостью оксидов к воздействию облучения, что приводит к эффективной десорбции атомов О с бомбардируемой ионами поверхности. Однако в некоторых случаях наряду с ионно-стимулированным внедрением в матрицу атомов С возможно внедрение и атомов кислорода. При этом ионно-стимулированное окисление может протекать более эффективно, чем [...]

    Смотреть »

  • Модель вакуумной карбидизации

    Данные условия выполняются практически во всех имплантерах, где облучение проводится постоянными ионными пучками с плотностью тока около 10 мк А-см»2 при давлении остаточных газов около 10″4 Па. Вакуумная карбидизация обусловлена: ионно-стимулированными реакциями химически активных поверхностных атомов с различными углеродсодержащими молекулами, поэтому она может наблюдаться в имплантерах, оборудованных вакуумными насосами различного типа. Модель вакуумной карбидизации, предложенная, вероятно, не совсем правильно описывает механизм науглероживания. Ее некоторые основные положения явно противоречат ряду экспериментальных результатов. Согласно модели, поверхностные атомы ТС играют основную роль в [...]

    Смотреть »

  •  
  • Явление вакуумной карбидизации

    Согласно данным, имплантация ТС в атмосфере реактивного газа сопровождается эффективным насыщением поверхностного слоя атомами углерода, которые внедряются практически на ту же глубину, что и атомы ТС. В случае имплантации, ионов титана в глубоком вакууме эффективность вакуумной карбидизации хоть и значительно снижается, но полностью исключить карбидизацию не удается. Явление вакуумной карбидизации может наблюдаться как при имплантации ионов различных карбидообразующих элементов, так и в случае ионной бомбардировки материалов, содержащих атомы карбидообразующих элементов. Однако данное явление исследовано лишь для случая ионной имплантации ТС. [...]

    Смотреть »

  • Ионно-индуцированный перенос примесных атомов в объеме сплава

    Имплантация – ионов при давлении примерно равном или менее Ю-4 Па в большинстве случаев обеспечивает существенное снижение скорости роста углеродсодержащих пленок или полностью исключает этот рост. В таких условиях характер и интенсивность процессов загрязнения будут в основном зависеть от скорости и направленности ионно-стимулированных реакций облучаемой поверхности с остаточным газом и от особенностей ионно-стимулированной миграции атомов в имплантируемом слое. Выше было показано, что образование поверхностных соединений элементов матрицы с реактивными элементами газов может уменьшать скорость распыления обрабатываемых ионами материалов. Однако реактивные [...]

    Смотреть »

  • Увеличение интенсивности ионного тока

    Показаны концентрационные профили распределения элементов в стали, имплантированной ионами Та до дозы 1017 см-2 на первом имплантере. Видно, что в результате интенсивного ионно-стимулированного образования углерод содержащей пленки большая часть имплантируемых атомов тантала располагается, не в матрице стали, а в этой пленке. В исследована зависимость скорости роста поверхностных углеродсодержащих пленок от давления газов и значения постоянного ионного тока (скорости набора дозы) в случае имплантации ионов гелия с энергией 200 кэВ в кремний и никель. Облучение – ионами, проводили на имплантере с [...]

    Смотреть »

  •  
  • Углеродсодержащие пленки на поверхности

    Ионно-стимулированные реакции могут приводить как к образованию толстых углеродсодержащих пленок на поверхности бомбардируемой матрицы, так и к эффективному насыщению поверхностных и более глубоких слоев матрицы атомами С (вакуумное науглероживание, карбидизация) или О (окисление). Дополнительное легирование поверхностных слоев атомами реактивного газа часто является причиной неожиданных структурно-фазовых изменений в ионно-имплантированном материале. Углеродсодержащие пленки на поверхности различных обрабатываемых матриц, как правило, образуются в случае проведения имплантации ионов при давлении остаточного газа от 10″3 до 10″4 Па. Наиболее интенсивно данные процессы протекают в имплантерах, [...]

    Смотреть »

  • Скорость распыления пленки

    Данный результат оказался несколько неожиданным, так как исследования элементного состава поверхности имплантируемых пленок показали, что в случае имплантации ионов N0 в Ге в атмосфере реактивного газа, как и в случае имплантации «К, наблюдается заметное насыщение поверхности подложки атомами О и С. В связи с этим интересно отметить следующий факт. Скорость распыления пленки Ге уменьшается при повышении дозы имплантируемых ионов. Данное явление наблюдается даже в случае проведения имплантации в глубоком вакууме, когда не наблюдается заметного загрязнения поверхности пленки. Авторы объясняют такое [...]

    Смотреть »

  • Концентрация атомов О и С

    Анализ приведенных результатов показал, что значение коэффициентов распыления Ге и П при имплантации ионов Л до дозы около 3-Ю17 см»2 в случае использования СО-газа уменьшается вдвое по сравнению с имплантацией ионов Т1 в глубоком вакууме. Исследования элементного состава поверхности в ионно-имплантированных пленках методом оже-электронной спектроскопии показали, что имплантация ионов П в глубоком вакууме вызывает лишь незначительное загрязнение поверхности реактивными элементами. Концентрация атомов О и Сне превышает здесь нескольких процентов. Имплантация же ионов титана в атмосфере СО-газа сопровождается существенным загрязнением поверхности [...]

    Смотреть »

  •  
  • Ионно-стимулированные реакции на поверхности

    В последнее время в ряде работ было показано, что такое увеличение коэффициента распыления вызвано выделением большого количества энергии в пределах микрообъема плотного каскада столкновений. Авторы предположили, что выделение большого количества энергии в микрообъеме приповерхностного слоя матрицы обусловливает изменение в структурном или агрегатном состоянии вещества матрицы. Поверхность в течение времени жизни каскада полностью разрушается, что приводит к изменению поверхностной энергии связи атомов и, следовательно, к наблюдаемым аномальным эффектам в развитии процессов распыления. Ионно-стимулированные реакции на поверхности. При прогнозировании влияния распыления на [...]

    Смотреть »

  • Характерное изменение формы концентрационного профиля

    Согласно формуле в режиме насыщения максимальная концентрация имплантированных атомов достигается в приповерхностном слое и определяется отношением Ы0/ Б. Профили, показывают, что при имплантации больших доз ионов элемента А в матрицу В распылению, вообще говоря, подвергается весь создаваемый сплав. При заметном проявлении эффектов селективного распыления и атомного перемешивания максимальная концентрация внедряемых атомов А будет определяться выражением В соответствии с основное количество внедренных атомов располагается в поверхностном слое на глубине р. Величину Др + 2Яр можно рассматривать как характерную глубину слоя, в [...]

    Смотреть »

  • Современные теоретические модели

    Современные теоретические модели, рассматривающие процессы взаимодействия ускоренных ионов с твердыми телами, устанавливают связь параметров Яр и А Яр с начальной энергией иона и атомными номерами иона и элементов матрицы. Приближенные формулы расчета значений Яр и А Яр, методы более точного нахождения их с применением ЭВМ, а также табличный материал можно найти, специально посвященных анализу и применению теорий пробегов ионов. Характерное изменение формы концентрационного профиля распределения внедренных атомов, обусловленное процессами распыления поверхностного слоя при повышении доз имплантации. Видно, что форма профиля, [...]

    Смотреть »

  •  
  • Влияние эффектов ионного распыления

    Проследим их взаимное влияние и зависимость параметров этих процессов от физико-химических и термодинамических свойств элементов и от условий имплантации ионов. Влияние эффектов ионного распыления. При внедрении ускоренных ионов в металлические матрицы неизбежно выбиваются атомы из приповерхностного слоя матрицы (ионно-индуцированное распыление). Интенсивность данных процессов принято характеризовать величиной 5 (полный коэффициент распыления), которая определяет число атомов, выбиваемых одним ионом. Данная величина зависит от кинетической энергии, приобретаемой атомами приповерхностного слоя при внедрении ускоренного иона, и от энергии связи этих атомов. Поэтому, в общем [...]

    Смотреть »

  • Прогнозирование состава и распределения элементов

    При имплантации больших доз ионов состав и распределение элементов по глубине обрабатываемых материалов, в общем случае, формируются под влиянием следующих процессов: введение легирующих атомов ионным пучком, распыление атомов поверхностных слоев матрицы, ионно-стимулированное загрязнение облучаемой поверхности атомами молекул остаточного газа, ионно-стимулированная миграция атомов в облучаемых слоях. Из всех перечисленных процессов только первый является контролируемым. Интенсивность других процессов может сильно зависеть как от физико-химических и термодинамических свойств элементов (иона и матрицы), так и от способа и условий имплантации. Числовые значения всех параметров [...]

    Смотреть »

  • Механизмы формирования состава и профиля

    Действительно, анализ выражения показывают, что во время существования теплового пика температура материала в его объеме может быть достаточно высокой. Поэтому выражение 1 – 2 Д Нт / (кв Т) будет положительным, даже если теплота смешивания Д Ни положительна. После остывания теплового пика движение дефектов протекает при более низких температурах, и отношение 2Д Нт/(кв Т) становится достаточно большим, а эффективный коэффициент диффузии – отрицательным, что и указывает на изменение в этих условиях направления миграции атомов, т.е. на сегрегацию. Состав и пространственный [...]

    Смотреть »

  •  
  • Возможность эффективной диффузии дефектов

    Действительно заметное влияние радиационно-ускоренной диффузии на перемешивание атомов при ионном облучении, как правило, наблюдается только при температуре более высокой, чем температура V стадии отжига, хотя междоузельные атомы и вакансии становятся подвижными при более низких температурах (но выше III стадии отжига). Однако в этом случае в материале в области внедрения ионов формируется дефектная структура (кластеры дефектов), которая является эффективным стоком для подвижных дефектов. При температурах выше температуры V стадии кластеры дефектов растворяются в объеме материала, открывая возможность эффективной диффузии дефектов и [...]

    Смотреть »

  • Исследования зависимости эффективности ионного перемешивания

    Исследования зависимости эффективности ионного перемешивания от температуры в металлических системах с маркером показывают, что она практически не изменяется при повышении температуры от 6 до 80 К. Во многих металлах собственные междоузельные атомы становятся подвижными при температурах ниже 80 К. Это позволяет заключить, что миграция собственных междоузельных атомов при низких температурах существенно не влияет на процесс ионно-индуцированного перемешивания атомов. Вероятно, при ионном облучении образуется большое число дефектов, которые захватывают подвижные междоузельные атомы, не давая им мигрировать на большие расстояния. Повышение температуры [...]

    Смотреть »

  • Радиационно-ускоренная диффузия при ионном перемешивании

    При облучении систем с большой положительной теплотой смешивания коэффициент диффузии, определяемый выражением, становится отрицательным. Тогда диффузия в тепловом пике стремится вызвать фазовую сегрегацию. Согласно расчетам, если энергия взаимодействуя атомов достигает значения 5 эВ/атом, процессы диффузии в тепловом пике могут полностью устранить диспергированное распределение атомов, формирующееся при столкновительных процессах, и вызвать полную сегрегацию атомов различных элементов. При меньших энергиях взаимодействия (около 0,5 эВ/атом) происходит частичная сегрегация. Значения £)г/Ф£п для систем Си-В1, Си-ЫЬ и Си-Мо в экспериментах, проведенных при 6 К, составляли [...]

    Смотреть »

  •  
  • Малая положительная теплота смешивания

    Используя экспериментально измеренную зависимость и выражение, авторы определили среднюю кинетическую энергию атомов (эффективную температуру) во время атомного перемешивания в тепловом пике. Согласно расчетам, значение с з ТЭф примерно равно 1-2 эВ (104 К), что существенно выше температуры плавления любого материала. Это позволило авторам использовать представление о диффузии атомов в жидкой фазе, чтобы объяснить влияние энергии когезии на перемешивание атомов в объеме высокоэнергетического теплового пика. Представлены результаты исследования методом ОР эффектов ионно-индуцированного перемешивания в двухслойных системах элементов с положительной теплотой смешивания. [...]

    Смотреть »

  • Эксперименты по ионному перемешиванию двухслойных систем

    Несмотря на то что массы элементов А и В в таких системах были примерно равны, обнаружено существенное различие (на порядок) эффективности перемешивания для систем, обладающих различной энергией когезии. Однако авторы предположили, что в объеме пика диффузионные перескоки атомов с кинетической энергией до 1 эВ/атом протекают в термализованном ансамбле атомов, обладающем свойствами жидкости. Они показали, что зависимость эффективности ионного перемешивания от энергии когезии может быть обусловлена зависимостью скорости диффузии атомов в жидкости от энергии когезии. Эксперименты по ионному перемешиванию двухслойных систем [...]

    Смотреть »

  • Непрерывный ряд идеальных твердых растворов

    Таким образом, в тепловом пике диффузия вакансий может значительно ускорить перенос атомов, хотя обычно энтальпия миграции вакансий существенно больше энтальпии миграции междоузельных атомов. В рамках такой модели зависимость эффективности ионно-индуцированного перемешивания атомов от их массы, а следовательно, от плотности энергии нарушений и энергии когезии материала объясняется следующим образом. Масса атомов матрицы влияет на плотность энергии в каскаде, Которая определяет температуру пика. Температуру можно оценить по формуле. Согласно выражению, чем выше температура пика, тем выше подвижность дефектов. Влияние энергии когезии материала [...]

    Смотреть »

  •  
  • Модель теплового пика

    В установлено, что эффективность перемешивания атомов маркера медной матрице существенно выше, чем в циркониевой. При этом в медной матрице значение Б Г /Ф £п в зависимости от свойств атомов маркера изменяется от 15 • Ю»5 до 47 • 10″5 нм5 • эВ»1, а в циркониевой – от 8 • 10″5 до 16 • 10″5 нм5 • эВ»1. Эффективность ионно-индуцированного перемешивания различных атомов в медной матрице хорошо коррелирует со скоростью их тепловой диффузии в меди и со значениями энергий связи этих [...]

    Смотреть »